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9XF0686-S3P  9ZX21901B  9XF1005-S3P  9ZX21201BKLFT  9XF0687-S3P  9ZX21901C  9ZX21201AKLF  9ZX21501BKLF  9XF0337-S3P  9XF0477-S3P  
FDS4435_01 30V P沟道PowerTrench MOSFET (30V P-Channel PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS4435_01
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描述: 30V P沟道PowerTrench MOSFET
30V P-Channel PowerTrench MOSFET
文件大小 :   65 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
FDS4435
2001年10月
FDS4435
30V P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-8.8 A, -30 V
R
DS ( ON)
= 20毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 35毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷( 17nC典型值)
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D
D
SO-8
DD
DD
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
s克
S S
S S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
–30
±25
(注1A )
单位
V
V
A
W
–8.8
–50
2.5
1.2
1
-55到+175
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4435
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS4435
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS4435冯F1 ( W)
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