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FDS4470
2006年12月
FDS4470
40V N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷,低R
DS ( ON)
和快速的开关速度。
特点
12.5 A, 40 V ř
DS ( ON)
= 9毫欧@ V
GS
= 10 V
低栅极电荷( 45 NC)
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
D
D
SO-8
D
D
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
S
G
S
S
S
S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
40
+30/–20
(注1A )
单位
V
V
A
W
12.5
50
2.5
1.4
1.2
-55到+175
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4470
设备
FDS4470
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4470版本D1 ( W)
FDS4470
电气特性
符号
E
AS
I
AS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲,V
DD
= 40V ,我
D
=12.5A
典型值
最大单位
370
12.5
mJ
A
漏源雪崩额定值
(注2 )
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 32 V,
V
GS
= 30 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
40
42
1
100
–100
V
毫伏/°C的
μA
nA
nA
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,I
D
= 12.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 12.5 A,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 12.5 A
25
45
基本特征
V
GS ( TH)
ΔV
GS ( TH)
ΔT
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
2
3.9
–8
6
9
5
V
毫伏/°C的
9
14
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= 20 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2659
605
298
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 20 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
Ω
14
12
37
29
25
22
59
46
63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 20 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 12.5 A,
45
11.2
11
FDS4470版本D1 ( W)
FDS4470
电气特性
符号
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
典型值
最大单位
2.1
1.2
A
V
nS
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
(注2 )
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.1 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 12.5 A,D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
0.7
33
39
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 50℃ / W的时
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B) 105 ° C / W时,
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
C)安装时, 125 ° C / W
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS4470版本D1 ( W)
FDS4470
典型特征
80
70
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
6.0V
5.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
I
D
,漏电流( A)
60
80
5.5V
6.0V
7.0V
8.0V
V
GS
= 5.0V
I
D
,漏电流( A)
60
50
40
30
5.0V
4.5V
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
,漏源极电压( V)
10V
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.019
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
,结温(
o
C)
I
D
= 12.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 6.3A
0.016
0.013
T
A
= 125
o
C
0.01
0.007
T
A
= 25
o
C
0.004
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
90
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
75
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
60
45
T
A
= 125
o
C
30
25
o
C
15
-55
o
C
0
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
,门源电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS4470版本D1 ( W)
FDS4470
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
4000
I
D
= 12.5A
8
V
DS
= 10V
20V
电容(pF)
3200
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
30V
C
国际空间站
2400
6
4
1600
C
OSS
800
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
,栅极电荷( NC)
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
图8.电容特性。
50
100
μ
s
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
极限
10
1s
10s
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
DC
1ms
10ms
100ms
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4470版本D1 ( W)
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