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IDT72V215L10PF  PSD854215JIT  PSD813215JIT  PSD853215JT  OP-215EJ  OP-215GZ  MAX4391C/D  IDT72215LB15G  PSD853215MIT  LMC7215IMX  
FDS4470 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ (40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET)
.型号:   FDS4470
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描述: 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢
40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
文件大小 :   144 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS4470
电气特性
符号
E
AS
I
AS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源雪崩能源
漏源雪崩电流
测试条件
单脉冲,V
DD
= 40V ,我
D
=12.5A
典型值
最大单位
370
12.5
mJ
A
漏源雪崩额定值
(注2 )
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
I
D
= 250
μA
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 32 V,
V
GS
= 30 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
40
42
1
100
–100
V
毫伏/°C的
μA
nA
nA
V
GS
= –20 V, V
DS
= 0 V
I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,I
D
= 12.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 12.5 A,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 12.5 A
25
45
基本特征
V
GS ( TH)
ΔV
GS ( TH)
ΔT
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
2
3.9
–8
6
9
5
V
毫伏/°C的
9
14
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= 20 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
2659
605
298
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 20 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
Ω
14
12
37
29
25
22
59
46
63
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 20 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 12.5 A,
45
11.2
11
FDS4470版本D1 ( W)
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