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FDS4470 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ (40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET)
.型号:   FDS4470
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描述: 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢
40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
文件大小 :   144 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS4470
典型特征
80
70
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
6.0V
5.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
20
40
I
D
,漏电流( A)
60
80
5.5V
6.0V
7.0V
8.0V
V
GS
= 5.0V
I
D
,漏电流( A)
60
50
40
30
5.0V
4.5V
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
,漏源极电压( V)
10V
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.019
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
,结温(
o
C)
I
D
= 12.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 6.3A
0.016
0.013
T
A
= 125
o
C
0.01
0.007
T
A
= 25
o
C
0.004
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
90
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
75
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
60
45
T
A
= 125
o
C
30
25
o
C
15
-55
o
C
0
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
,门源电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS4470版本D1 ( W)
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