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FDS4470 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ (40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET)
.型号:   FDS4470
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描述: 40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢
40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
文件大小 :   144 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS4470
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
4000
I
D
= 12.5A
8
V
DS
= 10V
20V
电容(pF)
3200
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
30V
C
国际空间站
2400
6
4
1600
C
OSS
800
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
,栅极电荷( NC)
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
图8.电容特性。
50
100
μ
s
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
极限
10
1s
10s
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
DC
1ms
10ms
100ms
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4470版本D1 ( W)
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