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FDS4672A
2007年2月
FDS4672A
40V N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷,低R
DS ( ON)
和快速的开关速度。
tm
特点
11 A, 40 V
R
DS ( ON)
= 13毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
低栅极电荷( 35 NC典型值)
高功率和电流处理能力
符合RoHS
应用
DC / DC转换器
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
AS
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
单脉冲
雪崩能量
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
40
±12
(注1A )
单位
V
V
A
mJ
W
11
50
181
2.5
1.4
1.2
-55到+175
(
注3 )
(注1A )
(注1B )
(注1C )
功率消耗单操作
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4672A
设备
FDS4672A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2007
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4672A版本
C1
(W)
FDS4672A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
DS
= 32 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= –12 V V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 11 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 11A ,T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,I
D
= 11 A
40
典型值
最大单位
V
开关特性
37
1
100
–100
毫伏/°C的
μA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
ΔV
GS ( TH)
ΔT
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
0.8
1.2
–4
10
15
2.0
V
毫伏/°C的
13
21
A
50
65
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
4766
346
155
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 20 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5 V ,R
= 6
Ω
17
9
43
14
31
18
68
25
49
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 20 V,I
D
= 11 A,
V
GS
= 4.5 V
35
7.8
8.8
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= 2.1 A
电压
2.1
(注2 )
A
V
0.7
1.2
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 50℃ / W的时
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
B) 105 ° C / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C) 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
3.Starting
T
J
= 25℃ , L = 3MH ,我
D
= 11A ,V
DD
= 40V, V
GS
= 10V
o
FDS4672A版本
C1
(W)
FDS4672A
典型特征
50
V
GS
= 4.5V
3.5V
I
D
,漏电流( A)
40
1.6
2.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
3.0V
30
1.4
V
GS
= 2.5V
1.2
3.0V
3.5V
1
4.0V
4.5V
20
2.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
,漏源极电压( V)
0.8
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.03
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
o
I
D
= 11A
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5.5A
0.026
0.022
T
A
= 125
o
C
0.018
0.014
T
A
= 25
o
C
0.01
0.006
125
150
175
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T
J
,结温( C)
V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化与
温度。
70
60
I
D
,漏电流( A)
50
40
30
20
10
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
,门源电压( V)
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
T
A
= -55 C
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
125 C
o
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125 C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
o
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS4672A版本
C1
(W)
FDS4672A
典型特征
5
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 11A
4
30V
3
电容(pF)
7000
V
DS
= 10V
20V
5600
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
4200
2
2800
1
1400
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
30
40
0
0
10
20
30
40
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
100
μ
s
I
D
,漏电流( A)
R
DS ( ON)
极限
10
I
AS
,雪崩电流( A)
100
图8.电容特性。
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
o
10
25℃
0.1
125℃
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源电压(V )
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
图9.最高安全工作区。
图10.非钳位感应
切换能力。
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
40
30
单脉冲
R
θJA
=
125
°
C / W
TA
=
25
°
C
20
10
0
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
图11单脉冲最大功率耗散。
FDS4672A版本
C1
(W)
FDS4672A
典型特征
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
(吨) = R(T) + R
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图12.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
.
FDS4672A版本
C1
(W)
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