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FDS4935BZ 双30伏P沟道PowerTrench MOSFET (Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS4935BZ
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描述: 双30伏P沟道PowerTrench MOSFET
Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
文件大小 :   154 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS4935BZ
2006年9月
tm
FDS4935BZ
双30伏P沟道PowerTrench MOSFET
概述
这种P沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器和电池充电器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS ( ON)
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET,很容易和更安全的驾驶
(即使是在非常高的频率) ,并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
特点
-6.9 A, -30 V. ř
DS ( ON)
= 22 m
R
DS ( ON)
= 35 m
@ V
GS
= –10 V
@ V
GS
= – 4.5 V
扩展V
GSS
范围( -25V )电池应用
ESD保护二极管(注3)
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S
S2
S
S
G1
S1
G
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DS \\
V
GS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
+25
(注1A )
单位
V
V
A
W
–6.9
–50
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
C
热特性
R
R
JA
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4935BZ
2006年仙童半导体公司
设备
FDS4935BZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS4935BZ版本B1 ( W)
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