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FDS4935BZ
2006年9月
tm
FDS4935BZ
双30伏P沟道PowerTrench MOSFET
概述
这种P沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器和电池充电器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS ( ON)
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET,很容易和更安全的驾驶
(即使是在非常高的频率) ,并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
特点
-6.9 A, -30 V. ř
DS ( ON)
= 22 m
R
DS ( ON)
= 35 m
@ V
GS
= –10 V
@ V
GS
= – 4.5 V
扩展V
GSS
范围( -25V )电池应用
ESD保护二极管(注3)
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
D2
D
D2
D
D
D1
D1
D
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
G2
S
S2
S
S
G1
S1
G
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DS \\
V
GS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
+25
(注1A )
单位
V
V
A
W
–6.9
–50
1.6
1.0
0.9
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
C
热特性
R
R
JA
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4935BZ
2006年仙童半导体公司
设备
FDS4935BZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS4935BZ版本B1 ( W)
FDS4935BZ
电气特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= –250 A
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= -250 A,参考25℃
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= +25 V, V
DS
= 0 V
24
–1
+10
毫伏/ C
A
A
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
r
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
I
D
= -250 A,参考25℃
V
GS
= -10 V,I
D
= –6.9 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –5.3 A
V
GS
= -10 V,I
D
= -6.9A ,T
J
=125 C
V
DS
= -5 V,I
D
= –6.9 A
–1
–1.9
–5
18
27.5
26
22
–3
V
毫伏/ C
22
35
34
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1360
240
200
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( TOT )
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
12
13
68
38
22
23
108
61
40
23
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷,V
GS
= 10V
总栅极电荷,V
GS
= 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V,I
D
= –6.9 A,
V
GS
= –10 V
29
16
4
7
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
RR
Q
RR
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –2.1 A
电压
I
F
= –8.8 A,
反向恢复时间
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
反向恢复电荷
–2.1
(注2 )
A
V
ns
nC
–0.8
24
–1.2
(注2 )
9
注意事项:
1.
R
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
JC
由设计而ř
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 78 ° C / W稳态
安装在一个时
2
的2盎司1英寸垫
B) 125 ° C / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C) 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300秒,占空比< 2.0 %
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没门过电压等级是不言而喻的。
FDS4935BZ版本B1 ( W)
FDS4935BZ
典型特征
50
V
GS
= -10V
40
-I
D
,漏电流( A)
-6.0V
30
-5.0V
3
V
GS
= -3.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
-4.5V
2.6
2.2
-4.0V
-4.0V
1.8
-4.5V
-5.0V
20
-3.5V
10
-3.0V
0
0
1
2
3
-V
DS
,漏源极电压( V)
4
1.4
-6.0V
-8.0V
-10V
1
0.6
0
10
20
30
-I
D
,漏电流( A)
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.08
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= -8.8A
V
GS
= -10V
I
D
= -4.4A
0.06
1.4
1.2
T
A
= 125
o
C
0.04
T
A
= 25
o
C
0.02
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
,结温( C)
125
150
0
2
4
6
8
-V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
-I
D
,漏电流( A)
40
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
30
1
25 C
o
20
T
A
= 125 C
10
25 C
0
2
2.5
o
o
0.1
-55
o
C
-55
o
C
0.01
0.001
3
3.5
4
4.5
-V
GS
,门源电压( V)
5
0
0.4
0.8
1.2
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.6
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS4935BZ版本B1 ( W)
FDS4935BZ
典型特征
10
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -8.8A
2000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
1600
-20V
电容(pF)
V
DS
= -10V
C
国际空间站
1200
8
6
-15V
4
800
C
OSS
400
C
RSS
0
2
0
0
6
12
18
24
Q
g
,栅极电荷( NC)
30
36
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
R
DS ( ON)
极限
100 s
1ms
10ms
100ms
50
图8.电容特性。
-I
D
,漏电流( A)
40
10
单脉冲
R
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
30
1
DC
V
GS
= -10V
单脉冲
R
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
1s
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
JA
(t)
= R(T ) * R
o
JA
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
JA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4935BZ版本B1 ( W)
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用,不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列™
GlobalOptoisolator ™
GTO ™
HiSeC ™
I
2
C™
我罗™
ImpliedDisconnect ™
的IntelliMAX ™
等平面™
LittleFET ™
MICROCOUPLER ™
的MicroFET ™
采用MicroPak ™
MICROWIRE ™
MSX ™
MSXPro ™
一刀切。周围的世界。 ™
电源特许经营
®
可编程有源下垂™
放弃
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此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
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全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些产品。
ACEX ™
ActiveArray ™
深不见底™
构建它现在™
CoolFET ™
CROSSVOLT ™
DOME ™
EcoSPARK ™
E
2
CMOS ™
Ensigna ™
FACT ™
®
FASTr ™
FPS ™
FRFET ™
OCX ™
OCXPro ™
OPTOLOGIC
®
OPTOPLANAR ™
吃豆™
POP ™
Power247™
的PowerEdge ™
PowerSaver™技术
的PowerTrench
®
QFET
®
QS ™
QT光电™
静音系列™
RapidConfigure ™
RapidConnect ™
SerDes ™
ScalarPump ™
SILENT SWITCHER
®
SMART START ™
SPM ™
隐形™
的SuperFET ™
SuperSOT™-3
SuperSOT™-6
SuperSOT™-8
SyncFET ™
中医™
TinyBoost ™
TinyBuck一体化™
TinyPWM ™
TinyPower ™
TinyLogic
®
TINYOPTO ™
TruTranslation ™
UHC ™
的UniFET ™
UltraFET
®
VCX ™
电线™
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系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统,其中,
(一)打算通过外科手术移植到体内,或(b )支持或
维持生命,或(c )其不履行时的正确使用
按照标示中提供的使用说明,可以
合理预期会导致显著的伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统,其不履行可以合理预期
造成生命支持设备或系统的故障,或影响其
安全性和有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知随时更改,以提高
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
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已经停产了仙童半导体公司。
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初步
一是生产
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过时的
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    应用领域和描述

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