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FDS5351的N-沟道PowerTrench
®
MOSFET
2008年4月
FDS5351
N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
60V , 6.1A , 35mΩ
特点
最大ř
DS ( ON)
= 35mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 6.1A
最大ř
DS ( ON)
= 42mΩ在V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5.5A
高性能沟道技术极低r
DS ( ON)
100 % UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
®
过程中有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
应用
逆变器开关
同步整流器器
负荷开关
D
D
D
D
D
D
D
SO-8
S
销1
S
G
S
D
8
1
S
5
6
7
4
3
2
G
S
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(注3)
(注1A )
(注1B )
参数
评级
60
±20
6.1
30
73
5
2.5
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1 )
(注1A )
25
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS5351
设备
FDS5351
SO-8
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500units
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FDS5351的N-沟道PowerTrench
®
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ,引用至25℃
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
60
55
1
±100
V
毫伏/°C的
µA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
r
DS ( ON)
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
I
D
= 250μA ,引用至25℃
V
GS
= 10V ,我
D
= 6.1A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5.5A
V
GS
= 10V ,我
D
= 6.1A ,T
J
= 125°C
V
DD
= 5V ,我
D
= 6.1A
1.0
2.0
-6.2
26.5
32.4
44.5
24
35.0
42.0
58.8
S
mΩ
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
985
90
50
1.7
1310
120
75
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至4.5V
V
DD
= 30V,
I
D
= 6.1A
V
DD
= 30V ,我
D
= 6.1A,
V
GS
= 10V ,R
= 6Ω
8
3
21
2
19
9
3
3.5
16
10
34
10
27
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时,我
S
= 6.1A
V
GS
= 0V时,我
S
= 2.1A
I
F
= 6.1A ,的di / dt = 100A / μs的
(注2 )
(注2 )
0.82
0.76
24
15
1.3
1.2
38
27
V
ns
nC
注意事项:
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一个),安装在一个时50℃ / W的
1in
2
垫2盎司纯铜。
二)安装在当125° C / W的
最小焊盘。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
3. UIL条件:起始物为
J
= 25℃时,L = 3MH ,我
AS
= 7A ,V
DD
= 60V, V
GS
= 10V.
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®
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
30
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
,
漏电流( A)
V
GS
= 4V
脉冲持续时间= 80
µ
s
占空比= 0.5 % MAX
3.0
V
GS
= 3V
V
GS
= 3.5V
2.5
V
GS
= 4V
20
2.0
1.5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
10
V
GS
= 3V
1.0
脉冲持续时间= 80
µ
s
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 10V
0
0
1
2
3
V
DS
,
漏源极电压( V)
0.5
0
10
I
D
,
漏极电流( A)
20
30
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
100
源导通电阻
(
m
)
2.0
漏极至源极导通电阻
1.8
1.6
I
D
= 6.1A
V
GS
= 10V
r
DS ( ON)
,沥去
I
D
= 6.1A
脉冲持续时间= 80
µ
s
占空比= 0.5 % MAX
80
60
T
J
= 125
o
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
40
20
0
T
J
= 25
o
C
2
4
6
8
10
V
GS
,
栅极至源极电压
(
V
)
图3.归一导通电阻
VS结温
30
I
S
,反向漏电流( A)
脉冲持续时间= 80
µ
s
占空比= 0.5 % MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
100
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
I
D
,漏电流( A)
V
DS
= 5V
20
T
J
= 125
o
C
10
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
,门源电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 6.1A
4000
C
国际空间站
电容(pF)
V
DD
= 30V
8
6
V
DD
= 20V
V
DD
= 40V
1000
C
OSS
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
100
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
10
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
10
I
D
,
漏电流( A)
8
I
AS
,雪崩电流( A)
8
V
GS
= 10V
6
25
o
C
6
V
GS
= 4.5V
T
J
=
4
T
J
= 125
o
C
4
2
R
θ
JA
= 50℃ / W
o
2
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
A
,
环境温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
100
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率( W)
图10.最大连续漏极
电流与环境温度
1000
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
I
D
,漏电流( A)
10
1ms
100
1
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
10ms
100ms
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1s
10s
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
300
1
0.5
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
T,脉冲宽度(秒)
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
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MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
0.001
-4
10
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
吨,矩形脉冲持续时间(秒)
图13.瞬态热响应曲线
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FDS5670

60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
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FDS5670_NL

Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOIC-8
0 FAIRCHILD

FDS5672

N-Channel PowerTrench MOSFET
暂无信息
150 FAIRCHILD

FDS5680

60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
暂无信息
185 FAIRCHILD

FDS5680_NL

Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
暂无信息
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