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P6KE400A  P6KE91A  P6KE51A  MPE-8071  MSC8101  OPA453FA  MSP430C1121IDW  MPC99J93  MPC9600  MPC9229  
FDS5351 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V , 6.1A , 35米ヘ (N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ)
.型号:   FDS5351
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描述: N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V , 6.1A , 35米ヘ
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ
文件大小 :   237 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
FDS5351的N-沟道PowerTrench
®
MOSFET
2008年4月
FDS5351
N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
60V , 6.1A , 35mΩ
特点
最大ř
DS ( ON)
= 35mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 6.1A
最大ř
DS ( ON)
= 42mΩ在V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5.5A
高性能沟道技术极低r
DS ( ON)
100 % UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
®
过程中有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
应用
逆变器开关
同步整流器器
负荷开关
D
D
D
D
D
D
D
SO-8
S
销1
S
G
S
D
8
1
S
5
6
7
4
3
2
G
S
S
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续
-Pulsed
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
(注3)
(注1A )
(注1B )
参数
评级
60
±20
6.1
30
73
5
2.5
-55到+150
单位
V
V
A
mJ
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1 )
(注1A )
25
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS5351
设备
FDS5351
SO-8
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500units
© 2008飞兆半导体公司
FDS5351 Rev.C
1
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