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TLV27LX  Q48SE12033NTFN  Q48SQ12018NNFA  Q48SE12033NSFN  Q48SE12033PSFN  Q48SE12033PRFN  Q48SE12033NSFA  TMS320C6670CYPA  Q48SQ12025NKFN  Q48SQ12018NRFN  
FDS5692Z N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V , 5.8A , 24米欧姆 (N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm)
.型号:   FDS5692Z
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描述: N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V , 5.8A , 24米欧姆
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm
文件大小 :   121 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS5692Z N沟道UltraFET海沟
®
MOSFET
2006年2月
FDS5692Z
N沟道UltraFET海沟
®
MOSFET
50V , 5.8A , 24mΩ
概述
这N沟道UltraFET设备设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷,低R
DS
(上)
和快速的开关速度。
特点
最大ř
DS
(上)
= 24mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 5.8A
最大ř
DS
(上)
= 33mΩ在V
GS
= 4.5V ,我
D
= 5.6A
ESD保护二极管(注3)
低的Qgd
开关速度快
应用
DC / DC转换器
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
MOSFET的最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
E
AS
P
D
单脉冲雪崩能量
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
50
±
20
(注1A )
单位
V
V
A
5.8
40
72
mJ
W
UltraFET消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
2.5
1.2
1.1
-55到150
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS5692Z
©2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS5692Z版本C ( W)
设备
FDS5692Z
SO-8
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500units
www.fairchildsemi.com
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