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FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
2007年11月
tm
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET
概述
该FDS6299S被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该FDS6299S包括
MOSFET的专利组合,单片
集成的肖特基二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压低边开关
负载低侧开关点
特点
21 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 3.9毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 5.1毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
和快速开关
高功率和电流处理能力
100% R
G
(栅极电阻)测试
终止是无铅和符合RoHS
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6299S
设备
FDS6299S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2007
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6299S冯C1 ( W)
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1毫安
最小典型最大单位
30
22
500
±100
V
毫伏/°C的
µA
nA
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
DS
= 24 V,
V
GS
= ±20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
1
1.7
–5
3.3
4.1
4.5
94
3.9
5.1
5.6
3
V
毫伏/°C的
mΩ
I
D
= 10毫安,引用至25℃
V
GS
= 10 V,
I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 21 A,T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 21 A
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 15 mV时,
V
GS
= 0 V,
3880
1030
310
pF
pF
pF
3.1
F = 1.0 MHz的
0.4
1.8
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( TOT )
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
12
12
60
35
22
22
96
56
81
43
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在V
GS
=10V
总栅极电荷在V
GS
=5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
I
D
= 21 A
58
31
11
8
漏源二极管的特性和最大额定值
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
漏源二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 3.5 A
(注2 )
420
32
2.1
34
700
mV
ns
A
nC
I
F
= 21 A,
dI
F
/ DT = 300 A / μs的
(注3)
注意事项:
1. R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A) 50 ° / W时,
装在一个1在
2
2盎司纯铜垫
B) 105 ° / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
三) 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
3.请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
FDS6299S冯C1 ( W)
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
105
V
GS
= 10V
90
I
D
,漏电流( A)
4.5V
75
60
45
30
15
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
2
3.0V
4.0V
3.5V
2.4
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 3.0V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
30
45
60
75
I
D
,漏电流( A)
90
105
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.012
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
I
D
= 21A
V
GS
=10V
I
D
= 10.5A
0.01
1.4
1.2
0.008
T
A
= 125
o
C
0.006
1
0.8
0.004
T
A
= 25 C
0.002
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
T
J
,结温( C)
100
125
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
105
V
DS
= 5V
I
S
,反向漏电流( A)
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
= 0V
10
90
I
D
,漏电流( A)
75
60
45
T
A
= 125 C
o
1
T
A
= 125 C
o
25
o
C
0.1
-55 C
o
30
15
25 C
o
0.01
-55
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
0.001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6299S版本C ( W)
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
(续)
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 21A
4800
4000
电容(pF)
V
DS
= 10V
20V
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
8
C
国际空间站
3200
2400
C
OSS
6
15V
4
1600
800
0
2
C
RSS
0
0
10
20
30
40
Q
g
,栅极电荷( NC)
50
60
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏源极电压( V)
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
I
D
,漏电流( A)
100
R
DS ( ON)
极限
100us
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
o
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
10
30
1
20
0.1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJC
(吨) = R (t)的R *
θJC
R
θJC
= 125℃ / W
0.1
0.1
0.05
0.02
P( PK
0.01
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
C
= P * R
θJC
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6299S冯C1 ( W)
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
(续)
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入一个肖特基二极管
用的PowerTrench MOSFET并联。该二极管的展品
相似的特性的离散外部肖特基
二极管与MOSFET并联。图12示出了
该FDS6299S的反向恢复特性。
肖特基势垒二极管具有显著泄漏高
温度和高的反向电压。这将增加
在该装置的功率。
0.1
I
DSS
,反向漏电流( A)
T
A
= 125
o
C
0.01
0.001
T
A
= 100
o
C
电流: 0.8A / DIV
0.0001
T
A
= 25
o
C
0.00001
0
5
10
15
20
V
DS
,反向电压(V)的
25
30
图13. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度。
时间: 12.5nS / DIV
图12. FDS6299S SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
FDS6299S冯C1 ( W)
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