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ACE302N300FBM+H  ACE302C300GBM+H  ACE302N600EBM+H  ACE302C465DBM+H  ACE302N090EBM+H  ACE302N090BBM+H  ACE302C465EBM+H  ACE302C600EBM+H  ACE302N100DBM+H  ACE302C465CBM+H  
FDS6299S_07 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ (30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩)
.型号:   FDS6299S_07
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描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™
30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩
文件大小 :   598 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
2007年11月
tm
FDS6299S
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET
概述
该FDS6299S被设计来取代单一的SO- 8
MOSFET和同步DC肖特基二极管: DC
电源供应器。这个30V的MOSFET被设计成
最大限度地提高功率转换效率,提供了一个低
R
DS ( ON)
和低栅极电荷。该FDS6299S包括
MOSFET的专利组合,单片
集成的肖特基二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压低边开关
负载低侧开关点
特点
21 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 3.9毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 5.1毫欧@ V
GS
= 4.5 V
包括SyncFET肖特基体二极管
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
和快速开关
高功率和电流处理能力
100% R
G
(栅极电阻)测试
终止是无铅和符合RoHS
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6299S
设备
FDS6299S
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2007
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6299S冯C1 ( W)
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