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EC3145TB05-24000M-G  GM6250-1.5T92B  C15TA-25.000M  GM6250-2.85T92B  EC3245TA-24000M-CL  GM6251-2.5T92B  GM6250-4.5T92B  C15TB-25.000M  UPC3225TB-E3-A  EC3145TB05-24.000M-CL  
FDS6375_01 P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET (P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6375_01
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描述: P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小 :   69 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6375
2001年9月
FDS6375
P沟道2.5V指定的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这个P
声道2.5V指定的MOSFET是一款坚固耐用
的门版本飞兆半导体先进
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压( 2.5V - 8V ) 。
特点
-8 A , -20 V. ř
DS ( ON)
= 24毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS ( ON)
= 32毫欧@ V
GS
= –2.5 V
低栅极电荷( 26 NC典型值)
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高的电流和功率处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D
D
SO-8
DD
DD
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
s克
S S
S S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
–20
±8
(注1A )
单位
V
V
A
W
–8
–50
2.5
1.2
1.0
-55到+175
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6375
设备
FDS6375
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6375版本E( W)
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