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FDS6574A_08 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 (20V N-Channel PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6574A_08
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描述: 20V N沟道PowerTrench MOSFET的
20V N-Channel PowerTrench MOSFET
文件大小 :   348 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6574A
五月
2008
FDS6574A
20V N沟道的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言,以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷,低R
DS ( ON)
和快速的开关速度。
TMM
特点
16 A , 20 V
R
DS ( ON)
= 6毫欧@ V
GS
= 4.5 V
R
DS ( ON)
= 7毫欧@ V
GS
= 2.5 V
R
DS ( ON)
= 9毫欧@ V
GS
= 1.8 V
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
符合RoHS
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
漏源电压
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
20
±
8
(注1A )
单位
V
V
A
W
16
80
2.5
1.2
1.0
-55到+175
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6574A
设备
FDS6574A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6574A冯B2 ( W)
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