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FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET (P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6576
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描述: P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小 :   137 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench
2006年12月
tm
FDS6576
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是在一个坚固的
门版
®
飞兆半导体先进
®
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压( 2.5V - 12V ) 。
特点
-11 A, -20 V. ř
DS ( ON)
= 0.014
R
DS ( ON)
= 0.020
@ V
GS
= –4.5 V
@ V
GS
= –2.5 V
扩展V
GSS
范围( 12V )电池应用。
低栅极电荷( 43nC典型值) 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
高功率和电流处理能力。
符合RoHS 。
D
5
6
4
3
2
1
MOSFET
D
D
D
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
评级
–20
12
–11
–50
2.5
1.2
1.0
-55到+150
单位
V
V
A
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
C
热特性
R
R
R
JA
JA
JC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6576
设备
FDS6576
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2006年仙童半导体公司
FDS6576 E3版本
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