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FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench
2006年12月
tm
FDS6576
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定的MOSFET是在一个坚固的
门版
®
飞兆半导体先进
®
的PowerTrench工艺。它已被优化电源
管理应用程序与各种门的
驱动电压( 2.5V - 12V ) 。
特点
-11 A, -20 V. ř
DS ( ON)
= 0.014
R
DS ( ON)
= 0.020
@ V
GS
= –4.5 V
@ V
GS
= –2.5 V
扩展V
GSS
范围( 12V )电池应用。
低栅极电荷( 43nC典型值) 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
应用
负荷开关
电池保护
电源管理
高功率和电流处理能力。
符合RoHS 。
D
5
6
4
3
2
1
MOSFET
D
D
D
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
评级
–20
12
–11
–50
2.5
1.2
1.0
-55到+150
单位
V
V
A
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
C
热特性
R
R
R
JA
JA
JC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1C )
(注1 )
50
125
25
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6576
设备
FDS6576
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2006年仙童半导体公司
FDS6576 E3版本
FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench
电气特性
符号
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250 A
I
D
= -250 A,参考25℃
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= –12 V, V
DS
= 0 V
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–13
–1
100
–100
毫伏/ C
A
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250 A
I
D
= -250 A,参考25℃
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –11 A
V
GS
= –2.5 V,
I
D
= –8.8 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -11 A,T
J
=125 C
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –4.5 V,
I
D
= –11 A
–0.6
–0.83
3.5
8.2
11.5
11.1
–1.5
V
毫伏/ C
14
20
23
m
I
D(上)
g
FS
–25
50
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
4044
955
504
pF
pF
pF
MOSFET
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= -10 V,I
D
= –1 A,
V
GS
= –4.5 V,
R
= 6
18
17
124
79
32
31
198
126
60
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –11 A,
43
7
12
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –2.1 A
电压
–2.1
(注2 )
A
V
–0.66
–1.2
注意事项:
1.
R
JA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
JC
由设计而ř
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 50℃ / W的时
安装在一个1英寸
2
2盎司纯铜垫
B) 105 ° C / W时,
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C)安装时, 125 ° C / W
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300秒,占空比< 2.0 %
FDS6576 E3版本
FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench
典型特征
50
6.0V
I
D
,漏电流( A)
40
4.5V
3.5V
3.0V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
2.25
2
1.75
1.5
3.5V
1.25
1
0.75
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
I
D
,漏电流( A)
4.5V
6.0V
10V
V
GS
= 3.0V
30
20
10
2.5V
0
V
DS
,漏源电压(V )
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.03
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.8
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
I
D
= 12A
V
GS
= 10V
I
D
= 6 A
0.025
MOSFET
0.02
T
A
= 125
o
C
0.015
0.01
T
A
= 25
o
C
0.005
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
125
150
T
J
,结温( C)
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
I
D
,漏电流( A)
40
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125 C
o
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
25
o
C
-55
o
C
30
20
10
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6576 E3版本
FDS6576 P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 12A
8
20V
6
电容(pF)
V
DS
= 10V
15V
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源极电压( V)
C
OSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
图7.栅极电荷特性。
100
100
R
DS ( ON)
极限
I
D
,漏电流( A)
10
1ms
10ms
100ms
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.01
o
图8.电容特性。
50
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
单脉冲
R
JA
= 125 /W
T
A
= 25
40
1s
10s
DC
30
20
0.1
10
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏源电压(V )
t
1
,时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
R
JA
(吨) = R(T) + R
JA
R
JA
= 125 /W
P( PK)
0.02
0.01
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6576 E3版本
商标
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旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列™
GlobalOptoisolator ™
GTO ™
HiSeC ™
I
2
C™
我罗™
ImpliedDisconnect ™
的IntelliMAX ™
等平面™
LittleFET ™
MICROCOUPLER ™
的MicroFET ™
采用MicroPak ™
MICROWIRE ™
MSX ™
MSXPro ™
一刀切。周围的世界。 ™
电源特许经营
®
可编程有源下垂™
ACEX ™
ActiveArray ™
深不见底™
构建它现在™
CoolFET ™
CROSSVOLT ™
DOME ™
EcoSPARK ™
E
2
CMOS ™
Ensigna ™
FACT
®
®
FASTr ™
FPS ™
FRFET ™
OCX ™
OCXPro ™
OPTOLOGIC
®
OPTOPLANAR ™
吃豆™
POP ™
Power247™
的PowerEdge ™
PowerSaver™技术
的PowerTrench
®
QFET
®
QS ™
QT光电™
静音系列™
RapidConfigure ™
RapidConnect ™
SerDes ™
ScalarPump ™
SILENT SWITCHER
®
SMART START ™
SPM ™
隐形™
的SuperFET ™
SuperSOT™-3
SuperSOT™-6
SuperSOT™-8
SyncFET ™
中医™
TinyBoost ™
TinyBuck一体化™
TinyPWM ™
TinyPower ™
TinyLogic
®
TINYOPTO ™
TruTranslation ™
UHC
®
的UniFET ™
VCX ™
电线™
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产品状态定义
条款的德网络nition
2.关键部件是在生命支持任何组件
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数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
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德网络nition
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没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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FDS6576_06

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
0 FAIRCHILD

FDS6609A

P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
暂无信息
115 FAIRCHILD

FDS6612A

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
450 FAIRCHILD

FDS6612A

Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
73 FAIRCHILD