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FDS6612A 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 (Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6612A
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描述: 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
文件大小 :   163 K    
页数 : 7 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6612A
2003年6月
FDS6612A
单N沟道逻辑电平,的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻,但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
8.4 A, 30 V
R
DS ( ON)
= 22毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 30毫欧@ V
GS
= 4.5 V
开关速度快
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
D
D
D
D
SO-8
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
S
G
S
S
S
S
S
T
A
= 25°C除非另有说明
o
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
°C
8.4
40
2.5
1.0
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1B )
(注1 )
50
125
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6612A
设备
FDS6612A
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6612A版本D( W)
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