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LB25SKW01-05-CJ  LB26CGG01-05-BJ  LB25SGG01-12-BJ  LB25RKW01-12-BJ  LB260Z  LB25SGW01-05-CJ  LB25RKW01-05-CJ  LB25SKW01-05-BJ  LB26CGW01-12-BJ  LB25SKG01-05-CJ  
FDS6612A 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 (Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6612A
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描述: 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
文件大小 :   163 K    
页数 : 7 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6612A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
最小值典型值
30
26
最大
单位
V
毫伏/°C的
开关特性
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
1
10
±100
µA
µA
nA
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
=55°C
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 8.4 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 7.2 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 8.4 A,T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 8.4 A
1
1.9
–4.4
19
24
25
3
V
毫伏/°C的
22
30
37
mΩ
I
D(上)
g
FS
20
30
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
560
140
55
2.5
pF
pF
pF
14
10
35
6
7.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 15 mV时, F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
7
5
22
3
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 8.4 A,
5.4
1.7
1.9
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
(注2 )
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 8.4 A,D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
2.1
0.77
19
9
1.2
A
V
nS
nC
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
当安装时50℃ / W的
上一个1英寸
2
的2盎司垫
二)安装在当125° C / W的
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2
测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS6612A版本D( W)
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