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LNG251RBR  LNG217RDR  LNG451YBX  LNG851RBD  
FDS6612A 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 (Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6612A
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描述: 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
文件大小 :   163 K    
页数 : 7 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6612A
典型特征
40
V
GS
= 10V
4.5V
2
V
GS
= 3.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
4.0V
1.8
I
D
,漏电流( A)
30
6.0V
1.6
4.0V
1.4
4.5V
1.2
5.0V
6.0V
10V
1
20
3.5V
10
3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
,漏源极电压( V)
3
0.8
0
10
20
I
D
,漏电流( A)
30
40
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.1
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 8.4A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 4.2A
0.08
1.2
0.06
T
A
= 125
o
C
0.04
T
A
= 25
o
C
0.02
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温(
o
C)
125
150
0
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
40
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
I
D
,漏电流( A)
30
V
GS
= 0V
10
1
T
A
= 125 C
o
20
0.1
T
A
= 125
o
C
-55 C
10
o
25
o
C
-55 C
o
0.01
0.001
25 C
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
4.5
o
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6612A版本D( W)
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