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FDS6612A 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 (Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET)
.型号:   FDS6612A
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描述: 单N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
文件大小 :   163 K    
页数 : 7 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FDS6612A
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= 8.4A
8
V
DS
= 10V
20V
6
15V
4
电容(pF)
800
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
2
C
RSS
0
0
2
4
6
8
Q
g
,栅极电荷( NC)
10
12
0
0
5
10
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
25
30
图7.栅极电荷特性。
100
100µs
R
DS ( ON)
极限
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
I
D
,漏电流( A)
10
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
40
单脉冲
o
R
θJA
= 125℃ / W
T
A
= 25
o
C
30
1
20
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θJA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
10
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏源电压(V )
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6612A版本D( W)
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