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FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
FFB3904
E2
B2
C1
FMB3904
C2
E1
C1
E1
MMPQ3904
E2
B2
E3
B3
E4
B4
B1
SC70-6
马克: .1A
针# 1
C2
B1
E1
针# 1
B1
B2
E2
C2
C1
C3
C2
C4
C4
C3
注:该引脚是对称的;引脚1和
4顷互换。在载体内的单位可以
是任一方向的,并且不会影响到
该装置的功能。
SuperSOT
-6
马克: .1A
点表示引脚# 1
SOIC-16
马克: MMPQ3904
针# 1
C1
NPN多芯片通用放大器
本设备被设计为通用放大器和开关。
的有用动态范围扩展为100 mA作为开关,并
100MHz的作为放大器。从工艺23采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
40
60
6.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
4
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJA
T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
有效的4模
每个模具
FFB3904
300
2.4
415
最大
FMB3904
700
5.6
180
MMPQ3904
1,000
8.0
125
240
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
1998年仙童半导体公司
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
典型值
最大单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
C
= 10
µA,
I
E
= 0
I
E
= 10
µA,
I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
V
CE
= 30 V, V
EB
= 0
40
60
6.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.1毫安, V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 1.0毫安, V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 1.0 V
MMPQ3904
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0毫安
40
30
70
50
100
75
60
30
300
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
0.65
0.2
0.3
0.85
0.95
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
(仅MMPQ3904 )
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V,I
E
= 0,
F = 140千赫
V
EB
= 0.5 V,I
C
= 0,
F = 140千赫
250
4.0
8.0
兆赫
pF
pF
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
注意:
所有的电压(V)和电流(A)中是负的极性为PNP晶体管。
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
(续)
典型特征
500
400
125 °C
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压( V)
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.15
β
= 10
125 °C
300
25 °C
0.1
25 °C
200
100
0
0.1
- 40 °C
0.05
- 40 °C
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
V
-
BE(上)
基极发射极电压( V)
V
BESAT
- 基极发射极电压(V)的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
4
100
0.4
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流(毫安)
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流( NA)
500
电容(pF)
10
电容VS
反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
100
10
1
0.1
V
CB
= 30V
5
4
3
2
ç敖包
ç IBO
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度(
°
C)
150
1
0.1
1
10
反向偏置电压(V)的
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
(续)
典型特征
(续)
噪声系数与频率
12
NF - 噪声系数(dB )
10
8
6
4
2
0
0.1
I C = 100
µA,
R 5 = 500
噪声系数VS源电阻
12
NF - 噪声系数(dB )
I C = 1.0毫安
I C = 1.0毫安
R 5 = 200Ω
I C = 50
µA
R 5 = 1.0千欧
I C = 0.5毫安
R 5 = 200Ω
V
CE
= 5.0V
10
I C = 5.0毫安
8
6
4
2
0
0.1
I C = 50
µA
I C = 100
µA
1
10
的F - 频率(KHz )
100
1
10
R
S
- 源极电阻值(kΩ )
100
电流增益和相位角
与频率
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
P
D
- POWE ř DIS SIPATION ( W)
h
fe
功耗与
环境温度
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
1
- 电流增益(分贝)
SOIC-16
0.75
SOT-6
θ
- 学位
θ
0.5
SC70 -6
0.25
h
V
CE
= 40V
I
C
= 10毫安
1
10
100
的F - 频率(MHz)
fe
0
0
25
50
75
100
特MPE叉涂抹(
°
C)
125
150
导通时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
40V
时间(纳秒)
100
15V
t
r @
V
CC
= 3.0V
2.0V
10
t
d @
V
CB
= 0V
5
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
I
c
10
上升时间与集电极电流
500
V
CC
= 40V
t
r
- 上升时间( NS )
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
FFB3904 / FMB3904 / MMPQ3904
NPN多芯片通用放大器
(续)
典型特征
(续)
贮藏时间与集电极电流
500
t
S
- 存储时间(纳秒)
T
J
= 25°C
秋季时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
t
f
- 下降时间( NS )
T
J
= 125°C
I
c
10
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
V
CC
= 40V
100
T
J
= 125°C
100
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
100
电流增益
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
oe
- 输出导纳(
µ
姆欧)
500
100
输出导纳
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
fe
- 电流增益
100
10
4
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流(毫安)
10
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流(毫安)
10
100
h
ie
- 输入阻抗(K
)
h
re
- 电压FE EDBACK比率( X10
4
)
输入阻抗
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
电压反馈比例
10
7
5
4
3
2
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
10
1
0.1
0.1
_
1
I
C
- 集电极电流(毫安)
10
1
0.1
1
I
C
- COLLE CTOR电流(mA)
10
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