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K390K15C0GL5.H5  K34SA06  K-390-58  K-332  K334Z20Y5VF5.H5  K333M15X7RF5.H5  K331M15X7RF5.L2  K332M15X7RF5.H5  K391M15X7RK5.L2  K3392-K62  
FQA10N80C 800V N沟道MOSFET (800V N-Channel MOSFET)
.型号:   FQA10N80C
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描述: 800V N沟道MOSFET
800V N-Channel MOSFET
文件大小 :   620 K    
页数 : 8 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
FQA10N80C
QFET
FQA10N80C
800V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的,
平面条形, DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻,优越的开关
性能,并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率开关模式电源。
TM
特点
10A , 800V ,R
DS ( ON)
= 1.1Ω @V
GS
= 10 V
低栅极电荷(典型的44 NC)
低的Crss (典型值15 pF的)
快速开关
100%的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
!
G
!
TO-3P
g DS的
常见问题解答系列
!
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续(T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
FQA10N80C
800
10
6.32
40
±
30
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
920
10
24
4.0
240
1.92
-55到+150
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
典型值
--
0.24
--
最大
0.52
--
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
© 2003仙童半导体公司
版本A , 2003年3月
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