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FSDH321 , FSDL321
特点
•内部雪崩坚固感FET
•功耗仅为0.65W ,在240VAC & 0.3W负载
先进的突发模式工作
•频率调制的低EMI
•精确的固定工作频率
•内置启动电路
•逐个脉冲电流限制
•异常过电流保护
•过电压保护
•过负载保护
•内部热关断功能
•自动重启模式
•欠压锁定
•低工作电流(最大3毫安)
•可调节峰值电流限制
•内置软启动
绿色模式飞兆功率开关( FPS
TM
)
输出功率表
230VAC
±15%
(3)
产品
FSDL321
FSDH321
FSDL0165RN
FSDM0265RN
FSDH0265RN
FSDL0365RN
FSDM0365RN
FSDL321L
FSDH321L
FSDL0165RL
FSDM0265RL
FSDH0265RL
FSDL0365RL
FSDM0365RL
Adapt-
er
(1)
11W
11W
13W
16W
16W
19W
19W
11W
11W
13W
16W
16W
19W
19W
开放
FRAME
(2)
17W
17W
23W
27W
27W
30W
30W
17W
17W
23W
27W
27W
30W
30W
85-265VAC
Adapt-
er
(1)
8W
8W
11W
13W
13W
16W
16W
8W
8W
11W
13W
13W
16W
16W
开放
FRAME
(2)
12W
12W
17W
20W
20W
24W
24W
12W
12W
17W
20W
20W
24W
24W
应用
• SMPS机顶盒,低成本DVD
•辅助电源为PC
•适配器充电器
描述
该FSDx321 ( x代表H,L )的集成脉宽
调制器( PWM)和检测FET的专
为高性能离线开关模式电源
( SMPS)使用最少的外部元件。这两款器件
集成高压功率开关稳压器
它结合了雪崩坚固感FET的电流
租模式PWM控制块。集成的PWM CON-
控制器的功能包括:一个固定的振荡器频率
调制降低EMI ,欠压锁定
( UVLO )保护,前沿消隐( LEB ) , opti-
得到优化的栅极导通/关断驱动器,过热关机
( TSD )保护,异常过流保护
( AOCP )和温度补偿精密电流
来源回路补偿和故障保护电路。
当相比于分立MOSFET和控制器或
RCC开关转换器解决方案,该FSDx321降低总
元件数量,设计的尺寸,重量,并在同一时间
提高效率,生产率和系统的可靠性。两
设备是一个基本平台非常适用于成本效益的
反激式转换器的设计。
表1.注释:1.典型的连续输出功率是在非文氏
测量在50 °C的环境tilated密闭适配器。 2 。
最大的实际持续输出功率是在敞开式
设计在50 °C的环境。 3. 230 VAC或100/115 VAC带
倍增。
典型电路
AC
IN
DC
OUT
VSTR
IPK
PWM
VFB
VCC
来源
图1.典型的反激式应用
Rev.1.0.2
©2004仙童半导体公司
FSDH321 , FSDL321
内部框图
VCC
2
+
VSTR
5
6,7,8
I
开始
软启动
V
树榴
/V
BURH
-
8V/12V
V
BURH
VCC
I
B_PEAK
VCC
I
延迟
VCC
VCC好
频率。
调制
VREF
国内
BIAS
OSC
V
FB
3
I
FB
正常
S
Q
PWM
BURST
R
Q
2.5R
I
pk
4
R
司机
LEB
V
SD
VCC
S
Q
1 GND
AOCP
VOCP
VOVP
TSD
VCC好
R
Q
图2. FSDx321的功能框图
2
FSDH321 , FSDL321
引脚德网络nitions
引脚数
1
引脚名称
GND
引脚功能说明
一次侧和内部控制地面检测FET的源端。
正电源电压输入。虽然连接到辅助变压
器绕组,电流从端子5( VSTR )经由内部交换机中提供的
启动(见内部框图部分) 。它不是直到Vcc的到达
UVLO阈值上限( 12V)的内部启动开关打开和脱离
副电源通过变压器辅助绕组供电。
反馈电压引脚非反相输入到PWM比较器。
它有一个0.9毫安电流源内部连接,而电容和OP-
tocoupler通常连接到外部。触发6V的电压反馈
蒙古包过载保护( OLP ) 。当有充电的时间延迟
3V和6V使用内部5UA电流源,其防止间
瞬态条件下的误触发,但仍允许保护
机制,以真实的过载条件下操作。
引脚调整检测FET的电流限制。反馈0.9毫安电流
源被转移到一内部2.8kΩ电阻器的并联组合
与任何外部电阻到GND该引脚上,以确定当前的限制。
如果此引脚连接到VCC或悬空,典型的电流限制将是0.7A 。
该引脚直接连接到整流的AC线路电压源。在启动
内部开关提供内部偏置和收费外部存储
电容放置在VCC引脚和地之间。一旦VCC达到
12V ,内部开关处于关闭状态。
所述漏针被设计成直接连接到变压器的初级导引
前者是能够切换的最大650V的。最小化
跟踪此引脚连接到变压器的长度会减小泄漏
年龄感。
2
VCC
3
VFB
4
IPK
5
VSTR
6, 7, 8
引脚配置
8DIP
8LSOP
GND 1
VCC 2
VFB 3
IPK 4
8漏极
7漏极
6排水
5 VSTR
图3.引脚CON组fi guration (顶视图)
3
FSDH321 , FSDL321
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
最大VSTR引脚电压
最大漏极引脚电压
漏,栅极电压(R
GS
=1MΩ)
门源( GND )电压
漏电流脉冲
(1)
连续漏电流(TC = 25 ° C)
连续漏电流(TC = 100 ° C)
单脉冲雪崩能量
(2)
最大电源电压
输入电压范围
总功耗
工作结温。
工作环境温度。
存储温度范围。
符号
V
STR , MAX
V
漏, MAX
V
DGR
V
GS
I
DM
I
D
I
D
E
AS
V
CC ,最大
V
FB
P
D
T
J
T
A
T
英镑
价值
650
650
650
±20
1.5
0.7
0.32
10
20
−0.3
到VSTOP
1.25
+150
-25至+85
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
DC
A
DC
A
DC
mJ
V
V
W
°C
°C
°C
注意:
1.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温
2, L = 24mH ,开始TJ = 25°C
4
FSDH321 , FSDL321
电气特性(感应FET部分)
( TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
SENSE FET节
漏源击穿电压
启动电压( VSTR )击穿
BV
DSS
BV
STR
V
GS
= 0V时,我
D
=50µA
V
CC
= 0V时,我
D
=1mA
V
DS
=最大。评级
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ,T
C
=125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ,我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
= 0.5B V
DSS
,
I
D
=1.0A
( MOSFET开关时间
本质上是
独立
工作温度)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.0A,
V
DS
= 0.5B V
DSS
( MOSFET开关时间
本质上是
独立运营的
温度)
650
650
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
720
720
-
-
14
1.3
162
18
3.8
9.5
19
33
42
7.0
3.1
0.4
-
-
25
200
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
ns
pF
V
V
µA
µA
S
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
零栅极电压漏极电流
I
DSS
静态漏源导通电阻
(注)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
正向跨导
(注)
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
(门源+门极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
注意:
1.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%
2.
1
S
= ---
-
R
5
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