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$ GYDQFHG 3RZHU 026 )(7
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流: 10μA (最大值) @ V
DS
= 400V
低R
DS ( ON)
: 2.815Ω (典型值)
1
2
3
IRF710A
BV
DSS
= 400 V
R
DS ( ON)
= 3.6Ω
I
D
= 2 A
TO-220
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散(T
C
=25°C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
400
2
1.3
6
±30
114
2
3.6
4.0
36
0.29
- 55 〜+ 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
3.44
--
62.5
° C / W
单位
版本B
©1999仙童半导体公司
IRF710A
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
特征
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏,正向
门源漏,反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极(米勒)充电
分钟。典型值。马克斯。单位
400
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.53
--
--
--
--
--
--
1.29
215
35
13
11
15
38
13
10
1.8
5.4
--
--
4.0
100
-100
10
100
3.6
--
280
42
17
30
40
90
35
14
--
--
nC
ns
pF
µA
V
V
nA
1&+$11(/
32:(5 026)(7
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250µA
V / ° C I
D
=250µA
V
GS
=30V
V
GS
=-30V
V
DS
=400V
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250µA
V
DS
=320V,T
C
=125°C
V
GS
=10V,I
D
=1A
V
DS
=50V,I
D
=1A
(4)
(4)
V
GS
=0V,V
DS
= 25V , F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=200V,I
D
=2A,
R
G
=24Ω
见图13
V
DS
=320V,V
GS
=10V,
I
D
=2A
(4) (5)
参见图6 &图12
(4) (5)
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(1)
(4)
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
224
0.87
2
6
1.5
--
--
A
V
ns
µC
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25°C,I
S
=2A,V
GS
=0V
T
J
=25°C,I
F
=2A
di
F
/dt=100A/µs
(4)
注意事项;
( 1 )重复评级:脉冲宽度有限的最高结温
( 2 ) L = 50mH ,我
AS
= 2A ,V
DD
= 50V ,R
G
=27
,起始物为
J
=25°C
(3) I
SD
图2A中, di / dt的
80A / μs的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
=25°C
( 4 )脉冲测试:脉冲宽度= 250μs,其占空比
2%
( 5 )基本上是独立工作温度
1&+$11(/
32:(5 026)(7
看图1,输出特性
V
GS
上图:
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部: 4.5 V
IRF710A
如图2传输特性
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
1
0
0
1
0
0
1 0
o
C
5
1
-1
0
2
o
C
5
@N TS :
oe
1 V =0 V
.
GS
2 V =5 V
.
DS
0
3 2 0
µ
S·P升(E T) s
. 5
美国东部
6
8
1
0
1
-1
0
@ Nt个S:
oe
1 2 0
µ
S·P升(E T) s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
C
5
1
-2 -1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
- 5
o
C
5
1
-2
0
2
4
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
8
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
,R RS中的D铜耳鼻喉科[ A]
前夜ê岭
rr
R
DS ( ON)
, [
]
医生酸酸Ø SIS ê
AIN- CE正重新TANC
6
V =1 V
0
GS
1
0
0
4
V =2 V
0
GS
2
@ N T: T = 2
o
C
oe
J
5
0
0
1
2
3
4
5
6
1
-1
0
@N TS :
oe
1 V =0 V
.
GS
2 2 0
µ
S·P升(E T) s
. 5
美国东部
08
.
10
.
12
.
10 C
5
2
o
C
5
1
0
-2
o
02
.
04
.
06
.
我,德拉Ç NT [ A]
在urre
D
图5.电容与漏源电压
40
0
C = C + C( C =使TD)
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
30
0
C
国际空间站
20
0
@ Nt个S:
oe
1 V =0 V
.
GS
2 F = 1M的ž
.
H
V
SD
,S CE艾卷GE [
我们-Dr ñ TA
V]
图6.栅极电荷与栅源电压
V =8 V
0
DS
1
0
V
GS
,栅源电压[V]
V =2 0V
0
DS
V =3 0V
2
DS
电容[ pF的]
5
C
OSS
10
0
C
RSS
0
0
1
0
@N TS : I = 2 0A
oe
.
D
0
0
2
4
6
8
1
0
1
1
0
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
IRF710A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
30
.
1&+$11(/
32:(5 026)(7
图8.导通电阻与温度的关系
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
11
.
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
25
.
20
.
10
.
15
.
10
.
@N TS :
oe
1 V =1 V
.
GS
0
2 I = 1 0A
.
D
.
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
09
.
@ Nt个S:
oe
1 V =0 V
.
GS
2 I = 2 0
µ
A
.
D
5
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
05
.
08
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图9.最大。安全工作区
在I T我阂Ø EA
PR为n HS RA
我L M T d设定B R
DS ( ON)
的I即ÿ
1 0
µ
s
0
1m
s
1
0
0
图10.最大。漏电流与外壳温度
25
.
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
1
3
0
1
0
1
20
.
1 m
0 s
D
C
15
.
10
.
1
-1
0
@ Nt个S:
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3锡升P嘞
。 IG ê美
05
.
1
-2 0
0
1
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
V
DS
,漏源电压[V]
T
c
,外壳温度
[
o
C]
图11.热响应
热响应
D=0.5
10
0
0.2
0.1
0.05
@注意事项:
1. Z
θ
J·C
(t)=3.44
o
C / W最大。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
J·C
(t)
P
DM
Z
JC
(t) ,
10
- 1
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
θ
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
,方波脉冲持续时间
[秒]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
图12.栅极电荷测试电路波形&
IRF710A
电流调节器
50kΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
10V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样(我
G
)
电阻器
R
2
电流取样(我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
10V
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
( 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
---- L
L
I
AS2
--------------------
E
AS
=
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
10V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
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    Advanced Power MOSFET (400V, 3.6ohm, 2A)
    先进的功率MOSFET ( 400V , 3.6ohm , 2A )

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