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HLMP-CW39-0Y4DD  DS1230Y-200  HLMP-CW19-0Y300  BA-10Y1UD  DS1230Y-120  HLMP-CW19-0Y2DD  HLMP-CW18-0Y4DD  HLMP-CW19-0Y1DD  HLMP-CW28-0Y4DD  HLMP-CW18-0Y0DD  
IRF710A 先进的功率MOSFET ( 400V , 3.6ohm , 2A ) (Advanced Power MOSFET (400V, 3.6ohm, 2A))
.型号:   IRF710A
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描述: 先进的功率MOSFET ( 400V , 3.6ohm , 2A )
Advanced Power MOSFET (400V, 3.6ohm, 2A)
文件大小 :   226 K    
页数 : 7 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
$ GYDQFHG 3RZHU 026 )(7
特点
雪崩坚固的技术
坚固的门栅氧化层技术
较低的输入电容
改进的栅极电荷
扩展安全工作区
低漏电流: 10μA (最大值) @ V
DS
= 400V
低R
DS ( ON)
: 2.815Ω (典型值)
1
2
3
IRF710A
BV
DSS
= 400 V
R
DS ( ON)
= 3.6Ω
I
D
= 2 A
TO-220
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流(T
C
=25°C)
连续漏电流(T
C
=100°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散(T
C
=25°C)
线性降额因子
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
400
2
1.3
6
±30
114
2
3.6
4.0
36
0.29
- 55 〜+ 150
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃,
°C
300
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
特征
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
典型值。
--
0.5
--
马克斯。
3.44
--
62.5
° C / W
单位
版本B
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