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LM336Z25可编程并联稳压器
1999年4月
修订后的2005年8月
LM336Z25
可编程并联稳压器
概述
该LM336Z25集成电路是精密2.5V并联稳压
ulators 。单片集成电路电压基准作为一个低
温度系数齐纳二极管2.5V 0.2W与动态阻抗
ANCE 。单片集成电路电压基准作为一个低
温度系数齐纳二极管2.5V 0.2W与动态阻抗
ANCE 。在LM336Z25第三终端允许参考
电压和温度系数可以很容易地修整。
LM336Z25是作为精密2.5V的低电压参考有用
数字电压表,电源或OP- AMP电路。该
2.5V可以方便地获得从低稳定的参考
电源电压。另外,由于LM336Z25作为分流操作
调节剂,它们可以被用作正的或负
基准电压源。
特点
O
低温COEF网络cient
O
保证温度稳定性4mV的典型
O
0.2W动态阻抗
O
1.0 %初始容差可用
O
轻松修剪的最低温度漂移
订购代码:
产品编号
LM336Z25
LM336Z25X
LM336Z25XA
TO-92
填料
体积
磁带和卷轴
弹药
工作温度
0
q
C至+70
q
C
©2005仙童半导体公司
DS400009
www.fairchildsemi.com
LM336Z25
内部框图
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2
LM336Z25
绝对最大额定值
(注1 )
参数
反向电流
正向电流
工作温度范围LM336Z25
存储温度范围
符号
IR
IF
TOPR
TSTG

价值
15
10
0
a
+70
60
a
+150
单位
mA
mA
q
C
q
C
注1 :
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。该设备不应该在这些限制条件下运行。该
在电气特性表中定义的参数值都不能保证在绝对最大额定值。
电气特性
(0
q
Ç <牛逼
A
< +70
q
C,除非另有规定)
参数
反向击穿电压
符号
V
R
T
A
= +25
q
C,
I
R
= 1毫安
反向击穿变化与电流
'
V
R
/
'
I
R
条件
2.44
典型值
2.49
最大
2.54
单位
V
T
A
= +25
q
C
400
P
A
d
I
R
d
10mA
-
2.6
10
mV
反向动态阻抗
Z
D
T
A
= +25
q
C
I
R
= 1毫安
-
0.2
1
:
温度稳定性
反向击穿变化与电流
反向动态阻抗
长期稳定的参考电压
ST
T
'
V
R
/
'
I
R
I
R
= 1毫安
400
P
A
d
I
R
d
10mA
I
R
= 1毫安
I
R
= 1毫安
-
-
-
-
1.8
3
0.4
20
6
12
1.4
-
mV
mV
:
ZD
ST
PPM / KHR
3
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LM336Z25
典型性能特性
图1.反向电压变化
图2.反向特性
图3.温度(
q
C)
图4.正向特性
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4
LM336Z25
物理尺寸
英寸(毫米),除非另有说明
5
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