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SX8801RIXXX  SX8723CWLTDT  SX8725S  SX8722  SX8652  SX8801IRXXLFTRT  SX8725E083TRT  SX8648  SX8724E082TRT  SX8661I07AULTRT  
RFP70N03 70A , 30V ,额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET (70A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs)
.型号:   RFP70N03
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描述: 70A , 30V ,额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET
70A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
文件大小 :   592 K    
页数 : 6 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø ř
RFP70N03 , ​​RF1S70N03 ,
RF1S70N03SM
70A , 30V ,额定雪崩N沟道
增强型功率MOSFET
套餐
JEDEC TO- 220AB
来源
1995年12月
特点
• 70A , 30V
• r
DS ( ON)
= 0.010Ω
温度补偿
PSPICE模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线(单脉冲)
• +175
o
C的工作温度
(法兰)
JEDEC TO- 262AA
描述
该RFP70N03 , ​​RF1S70N03和RF1S70N03SM的N-常用信
NEL功率MOSFET使用MegaFET制造
流程。这个过程中,它使用特征尺寸approach-
荷兰国际集团的LSI集成电路提供最佳利用
硅,保证了出色的性能。他们是
在应用中,如开关稳压设计用于
器,开关转换器,电机驱动器,继电器驱动器和
发射极开关,用于双极型晶体管。这些晶体管
可以直接从集成电路操作。
包装可用性
产品型号
RFP70N03
RF1S70N03
RF1S70N03SM
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
RFP70N03
F1S70N03
F1S70N03
(法兰)
A
来源
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
(法兰)
来源
符号
D
注:订货时请使用整个零件编号。添加SUF网络连接X,
9A ,获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴,如:
RF1S70N03SM9A.
G
以前发育类型TA49025 。
S
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C,除非另有规定编
RFP70N03 , ​​RF1S70N03 ,
RF1S70N03SM
单位
V
V
V
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
连续漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
单脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .E
AS
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
上述牛逼
C
=
+25
o
C,
减免线性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
T
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
30
30
±20
70
200
(参见UIS曲线)
A
A
150
1.0
-55到+175
W
W/
o
C
o
C
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
哈里斯公司1995年
网络文件编号
3404.2
3-45
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