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SI9424DY 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET (Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET)
.型号:   SI9424DY
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描述: 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小 :   78 K    
页数 : 5 页
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品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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100%
Si9424DY
典型特征
50
V
GS
= -4.5V
-I
D
,漏电流( A)
40
-3.5V
-2.5V
30
2.5
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2
1.5
V
GS
= -2.5V
-3.0V
-3.5V
20
-2.0V
10
-1.5V
0
0
1
2
3
4
5
1
-4.5V
0.5
0
10
20
30
40
50
-V
DS
,漏源极电压( V)
-I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
0.1
I
D
= -4A
0.08
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= -8A
V
GS
= -10V
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.4
1.2
0.06
1
0.04
T
J
= 125 C
0.02
25 C
o
o
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T
J
,结温( C)
-V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
20
V
DS
= -5V
-I
D
,漏电流( A)
16
o
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
100
-I
S
,反向漏电流( A)
T
J
= -55 C
o
V
GS
= 0
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
J
=125 C
25 C
-55 C
o
o
o
25 C
125 C
o
12
8
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
GS
,门源电压( V)
-V
SD
,体二极管电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
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