电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
D048C018T016M1N  D048C050T014M2N  D048C025T020M2N  D048C033T020M2N  D048C030T012M2N  D048C033T020M1N  D048C033T017M1N  D048C015T022M2N  D048C025T018M1N  D048C015T018M1N  
SI9424DY 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET (Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET)
.型号:   SI9424DY
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET
Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
文件大小 :   78 K    
页数 : 5 页
Logo:   
品牌   FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号SI9424DY的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号SI9424DY的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号SI9424DY的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号SI9424DY的Datasheet PDF文件第5页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
Si9424DY
典型特征
5
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -8.0A
(续)
3500
3000
CAPAACITANCE (PF )
V
DS
= -5V
-10V
-15V
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
C
OSS
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
0
0
4
8
12
16
20
QG ,栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
100
R
DS ( ON)
极限
-I
D
,漏电流( A)
10ms
10
100ms
功率(W)的
50
100
µ
s
40
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
=25 C
30
o
o
1s
10s
1
DC
20
0.1
V
GS
= -4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
o
o
10
0.01
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P( PK)
0.02
0.01
单脉冲
R(T ) ,规范有效
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 125°C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
Si9424DY Rev.A的
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7