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Si9435DY
2001年1月
Si9435DY
P沟道逻辑电平的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET产生
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻,但保持
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
特点
-5.3 A, ​​-30 V. ř
DS ( ON)
= 50毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 80毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅电荷
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
W
-5.3
-20
2.5
1.2
1.0
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
9435
设备
Si9435DY
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2001
仙童半导体国际
Si9435DY版本A ( W)
Si9435DY
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–22
–1
100
–100
毫伏/°C的
µA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= –10 V,
I
D
= –5.3 A
V
GS
= -10 V,I
D
= -5.3 A,T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –4.2A,
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –15 V,
V
DS
= –5 V
I
D
= –5.3 A
–1
–1.7
4
38
54
55
–3
V
毫伏/°C的
50
79
80
mΩ
I
D(上)
g
FS
–20
12
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
690
306
77
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
7
10
19
11
14
18
34
20
23
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –5.3 A,
14
2.4
4.8
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –5.3 A
电压
–5.3
(注2 )
A
V
–0.86
–1.2
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 50℃ / W的时
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B) 105 ° C / W时,
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
C) 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
Si9435DY版本A ( W)
Si9435DY
典型特征
30
V
GS
= -10.0V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2.5
V
GS
= -3.5V
2
-4.0V
1.5
-4.5V
-5.5V
-7.0V
1
-10.0V
25
20
15
10
5
0
0
-7.5V
-6.5V
-6.0V
-5.0V
-4.0V
-3.0V
1
2
3
4
5
0.5
0
5
10
15
-I
D
,漏电流( A)
-V
DS
,漏源极电压( V)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.2
1.6
I
D
= -5.3A
V
GS
= -10V
I
D
= -5.3A
1.4
0.15
1.2
0.1
1.0
0.05
0.8
T
A
= 125 C
T
A
= 25 C
o
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
0
125
150
2
4
6
8
10
T
J
,结温( C)
-V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化与
温度。
20
V
DS
= -10V
16
T
A
= -55 C
125 C
o
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
10
o
V
GS
= 0V
12
1
T
A
= 125 C
25 C
o
o
8
0.1
-55 C
o
4
0.01
0
1
2
3
4
5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
GS
,门源电压( V)
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
Si9435DY版本A ( W)
Si9435DY
典型特征
10
I
D
= -5.3A
V
DS
= -5V
8
-15V
6
-10V
1000
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
800
C
国际空间站
600
C
OSS
4
400
2
200
C
RSS
0
0
5
10
15
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
极限
10
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
1s
1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
0
o
o
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
40
30
10s
DC
20
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
t
1
,时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
(吨) = R(T) + R
θ
JA
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.1
R
θ
JA
= 125℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
Si9435DY版本A ( W)
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX ™
深不见底™
CoolFET ™
CROSSVOLT ™
DOME ™
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT ™
FACT静音系列™
放弃
FASTr ™
GlobalOptoisolator ™
GTO ™
HiSeC ™
等平面™
MICROWIRE ™
OPTOLOGIC ™
OPTOPLANAR ™
吃豆™
POP ™
的PowerTrench
QFET ™
QS ™
QT光电™
静音系列™
SILENT SWITCHER
SMART START ™
SuperSOT™-3
SuperSOT™-6
SuperSOT™-8
SyncFET ™
TinyLogic ™
UHC ™
VCX ™
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
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