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宁波FORYARD OPTO
电子有限公司。
LED
数字显示
PARTNO : FYS - 10012E / FXX -XX
描述
26.00mm (1.0”
)单位数字显示屏系列。
标准亮度。
低电流操作。
优秀的性格外观。
易于安装在P.C.boards或插座
封装尺寸&Internal电路图
注意事项:
❈All
尺寸以毫米(英寸)
*公差
is
±0.25(0.01")unless
另有说明。
· Specificaions
如有变更, whitout通知。
地址:七莘路115号路浙江宁波中国
邮政编码: 315051
电话: 0086-574-87927870
87933652
传真: 0086-574-87927917
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PARTNO : FYS - 10012E / FXX -XX
:绝对最大额定值(Ta = 25℃)
价值
测试条件
最大
参数
符号
单位
反向电压
前锋
当前
VR
IF
Pd
IPEAK
IR=30
A
-----
-----
Duty=0.1mS,
5
------
------
------
-----
30
100
150
V
mA
mW
mA
°C
°C
功耗
脉冲电流
操作
温度
存储
温度
1KHz
-----
TOPR
-40
+85
TSTR
-----
-40
+85
·-XX:
表面/镜片颜色:
参考表面颜色
环氧彩
0
明确
1
扩散的
2
扩散的
3
绿色
扩散的
4
绿色
扩散的
5
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PARTNO : FYS - 10012E / FXX -XX
描述:
●颜色
代码&芯片特征:(
测试条件: IF = 20mA下
)
骰子
前锋
光谱
电压( V F)
PEAK波
LINE
发光颜色
材料
单位:V
半宽度(
长度(
P
)
△1/2
)
典型值
最大
H
S,
大红喜
SR
二维超红
LR超红
HR
何红
E
A
AMBER
Y
G
绿色
超高亮度
UH
超嗨
R
UE
UA
AMBER
UY
UG
绿色
超纯
PG
绿色
超蓝
BG
绿色
B
UB
超蓝
GAP
铝镓砷, SH
铝镓砷,卫生署
铝镓砷, DDH
砷化镓
砷化镓
砷化镓
砷化镓
GAP
的AlGaInP
的AlGaInP
的AlGaInP
的AlGaInP
的AlGaInP
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
700nm
660nm
660nm
660nm
640nm
630nm
610nm
590nm
570nm
645nm
630nm
610nm
590nm
570nm
520nm
505nm
430nm
470nm
460nm
405nm
X=0.29,y=0.30
90nm
20nm
20nm
20nm
45nm
35nm
35nm
35nm
30nm
20nm
20nm
20nm
20nm
30nm
36nm
36nm
30nm
30nm
30nm
2.20
1.80
1.80
1.90
1.90
2.10
2.10
2.10
2.20
2.10
2.10
2.10
2.10
2.20
2.80
2.80
2.80
2.80
2.80
2.80
2.80
2.80
2.50
2.20
2.20
2.40
2.40
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
2.50
3.80
3.80
3.80
3.80
3.80
3.80
3.80
3.80
1.5:1
发光的
强度
(ⅳ)
单位: MCD
5.0
15-20
20-30
26-38
50-80
10-20
15-20
15-20
14-18
80-150
180-210
90-120
150-200
60-100
260-310
260-310
10-20
80-90
80-90
5-8
180-200
180-200
V
UV
氮化铟镓
W
氮化铟镓
U
氮化铟镓
X=0.29,y=0.30
W
段到段发光强度比(四- M)的
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1.0
(A)
(B)
(C)
(D)
(2)
(3)
(8)
(4)
(1) (6)
(5)
(9)
(10)
0.5
0
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
波长(nm )
相对强度对波长(
λ
p)
( 1 ) - 砷化镓/砷化镓等于655nm /红
( 2 ) - 的GaP 570nm处/黄绿色
(3) - 的GaAsP / 585nm的GaP /黄
( 4 ) - 的GaAsP /间隙为635nm /橙色&的Hi- EFF RED
( 5 ) - 700纳米的GaP /大红
( 6 ) - 砷化镓铝/砷化镓为660nm /超红
( 8 ) - 的GaAsP /间隙在610nm /超红
( 9 ) - GaAlAs的880nm的
( 10 ) - 砷化镓/砷化镓&砷化镓铝/砷化镓940nm的
( A) - 氮化镓/碳化硅430nm的/蓝
( B) - 的InGaN / SiC复合材料435-460 /蓝
( C) - 的InGaN / SiC复合材料505nm /超环保
( D) - InGaAl /碳化硅525nm的/超环保
50
正向电流(mA )
相对发光强度
3
2
1
0.5
0.2
0.1
-30
-20
-10
1
8
64 5
2 3
4.0
1
3.0
正向电流(mA )
50
40
30
20
10
0
相对发光强度
40
30
20
10
0
1.2
1
6
2,4,8,A
3
5
2.0
5
B
1.0
0
20
40
60
80
100
1.6
2.0
2.4
2.6
3.0
20
40
60
80
100
正向电压(Vf )
正向电流与
正向电压
正向电流(mA )
相对发光
强度与FORWARD
当前
环境温度Ta (
)
正向电流与环境
温度
1
5
4
2
3
10
9
8
7
6
5
4
3
2
0
10
20
30
40
50
60
70
1
环境温度Ta (
)
1
I峰值MAX 。
IDC最大。
300KHz
3KHz
10KHz
1KHz
100KHz的F-刷新率
3KHz
300Hz
30KHz
100KHz
1KHz的为10KHz
100Hz
10
9
8
7
6
5
I峰值MAX 。
IDC最大。
4
3
2
1
1
10
100
1000
TP-脉冲持续时间美国
(5)
10
100
1000
10,000
10,000
TP-脉冲持续时间美国
(1,2,3,4,6,8,B.D.J.K)
注: 25
除非另有说明,自由空气温度
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FORYARD
光电
Pb
型号:
的quanlity :
发布日期:
Q.A :
QC1
通过
VF :
¦
D:
为r的
PAR
UM
T N
BER
K
Q'T
Y
合计
AL
5
产品: LED
类型:
数量:点
N.W :
KGS
毛重:
KGS
尺寸: 40.5x30.5x39.5CM
C
.
NO
/
TYPE
QTY /泡沫(PCS)
QTY /包(个)
QTY / CARTONDimension
FYS-10012E/Fxx-xx
4*10=40
40*16=640
640*4=2560
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