元器件型号: | 9C12063A10R0FKHFT |
生产厂家: | FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC |
描述和应用: | RF Power Field Effect Transistor |
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型号参数:9C12063A10R0FKHFT参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | YAGEO CORP |
包装说明 | SMT, 1206 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8533.21.00.30 |
风险等级 | 5.1 |
其他特性 | LASER TRIMMABLE |
构造 | Chip |
JESD-609代码 | e3 |
制造商序列号 | 9C |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 155 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装高度 | 0.55 mm |
封装长度 | 3.1 mm |
封装形状 | RECTANGULAR PACKAGE |
封装形式 | SMT |
封装宽度 | 1.6 mm |
包装方法 | TR, PAPER, 7 INCH |
额定功率耗散 (P) | 0.25 W |
额定温度 | 70 °C |
电阻 | 10 Ω |
电阻器类型 | FIXED RESISTOR |
系列 | RC1206 |
尺寸代码 | 1206 |
子类别 | Fixed Resistors |
表面贴装 | YES |
技术 | METAL GLAZE/THICK FILM |
温度系数 | 200 ppm/ °C |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形状 | WRAPAROUND |
容差 | 5% |
工作电压 | 200 V |
Base Number Matches | 1 |
RF Power Field Effect Transistor
射频功率场效应晶体管