元器件型号: | C3225CH2A153JT |
生产厂家: | FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC |
描述和应用: | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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型号参数:C3225CH2A153JT参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | TDK CORP |
包装说明 | CHIP, ROHS COMPLIANT |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8532.24.00.20 |
风险等级 | 5.68 |
电容 | 0.015 µF |
电容器类型 | CERAMIC CAPACITOR |
介电材料 | CERAMIC |
高度 | 1.25 mm |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 3.2 mm |
制造商序列号 | C3225 |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
多层 | Yes |
负容差 | 10% |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -25 °C |
封装形状 | RECTANGULAR PACKAGE |
封装形式 | SMT |
包装方法 | BULK |
正容差 | 10% |
额定(直流)电压(URdc) | 100 V |
系列 | C3225(100V,CLASS 1) |
尺寸代码 | 1210 |
表面贴装 | YES |
温度特性代码 | CH |
温度系数 | 60ppm/Cel ppm/ °C |
端子面层 | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形状 | WRAPAROUND |
宽度 | 2.5 mm |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET