C3225CH2A153JT [FREESCALE]

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs; 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
C3225CH2A153JT
元器件型号: C3225CH2A153JT
生产厂家: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC    FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC
描述和应用:

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 射频
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型号参数:C3225CH2A153JT参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商TDK CORP
包装说明CHIP, ROHS COMPLIANT
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8532.24.00.20
风险等级5.68
电容0.015 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度1.25 mm
JESD-609代码e3
长度3.2 mm
制造商序列号C3225
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
负容差10%
端子数量2
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法BULK
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)100 V
系列C3225(100V,CLASS 1)
尺寸代码1210
表面贴装YES
温度特性代码CH
温度系数60ppm/Cel ppm/ °C
端子面层Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形状WRAPAROUND
宽度2.5 mm