电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
CS20608MX333S330ME  CS20608TC105G104KE  CS20608TC105G392ME  CS20608MX333J330KE  CS20608TC103G104KE  CS20608MX333G392ME  CS20608MX333S471KE  CS20608MX105G330ME  CS20608MX105S330ME  CS20608MX333G104ME  
33395T 三相栅极驱动器IC (Three-Phase Gate Driver IC)
.型号:   33395T
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 三相栅极驱动器IC
Three-Phase Gate Driver IC
文件大小 :   783 K    
页数 : 16 页
Logo:   
品牌   FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
购买 :   
  浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第9页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第11页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第12页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第13页 浏览型号33395T的Datasheet PDF文件第14页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
功能说明
内部功能块描述
内部功能块描述
栅极驱动电路
栅极驱动输出( GDH1 , GDH2等)提供
所需的峰值电流导通,并按住
的MOSFET ,以及关闭并保持关闭MOSFET的。
低电压复位功能
当逻辑电源电压(V
DD
)低于
最小电压电平或当所述的部分是最初供电
起来,这个功能将关闭并保持关闭外部
的MOSFET ,直到电压增加到高于最小
所需的正常操作电压电平。
电荷泵
电荷泵的电流能力是足够的,以
当在向上PWMing供给栅极驱动电路的要求
到28千赫。两个外部电荷泵电容和
储能电容必须完成充电
泵的电路。
电荷储电容是总的函数
MOSFET的栅极电荷(Q
G
)栅极驱动电压电平相对于
源(V
GS
)和驱动电平的允许凹陷
导通时间(V中
SAG
). C
水库
可以表示为
下式:
C
水库
=
Q
G
X V
GS
2× V
GS
X V
SAG
- V
SAG2
控制逻辑
控制逻辑模块控制时低侧和
高侧驱动器被启用。逻辑实现的真相
表中找到的在说明书和监视M0,M1
PWM , CL , OT , OV , LSE和HSE引脚。注意,驱动器
启用3
µs
后PWM边沿。在免费
斩波模式中的高侧和低侧驱动器都交替地
启用和在PWM周期的关闭状态。为了防止
直通电流,高侧驱动器导通延迟
经t
D1
和低侧驱动器导通被延迟吨
D2
(见
需要注意的是在一个驱动程序被禁用
过热或过压故障。一个触发器保持
驱赶,直到下一个PWM周期。这可以防止不稳定
在故障条件下运行。电流限制电路还
采用触发器,用于锁存所述驱动关断,直到下面的
PWM周期。
PWM必须POR ,热限制,或之后进行切换
过电压故障,以重新启用栅极驱动器。
例如,针对Q
G
= 60 NC ,V
GS
= 14 V, V
SAG
= 0.2 V:
C
水库
=
( 60 NC )× ( 14 V )
= 0.15
µF
2× ( 14 V )× ( 0.2 V ) - ( 0.2 )
2
适当的电荷泵电容是必需的,以保持,
并提供高需求期间得到充分的栅极驱动
导通的时间间隔。使用下面的公式来确定
对于C值
P1
和C
P2
:
例如,对于上面的C判断
水库
=
0.15
µF:
C
水库
20
< ç
P1
= C
P2
& LT ;
C
水库
10
VGDH
该VGDH引脚用于提供栅极驱动信号,以一
反向电池保护MOSFET。如果电池反接
保护是需要的, V
IGN
将被应用到的源
外部MOSFET和MOSFET的漏极将
然后提供一个"protected"供给电压(V
IGNP
)这三个
外部MOSFET的相控阵以及供给
电压至V
IGNP
销的IC 。
在相反极性的事件(例如,一个错误安装
系统电池) ,在V的
GDH
信号不会被提供给
外部保护MOSFET ,MOSFET的意志
保持关闭,从而防止极性接反被
施加到负载和IC的VIGNP电源引脚。
通过平均这两个值,恰当的C
P
n
值可以
来确定:
0.15
µF
20
= 0.075
µF,
下限;和
0.15
µF
10
= .015
µF,
上廉
C
P1
和C
P2
=(0.0075
µ
F + 0.015
µ
F)
÷
2 = 0.01
µ
F
高边栅极驱动电路
热关断功能
该器件具有内部温度感测电路
这将激活一个保护关机宜模功能
达到过度升高的温度。此功能
有效地限制功率耗散,从而保护了
装置。
输出GDH1 , GDH2和GDH3提供高架
驱动电压提供给高侧外部MOSFET (HS1 , HS2 ,
和HS3 ;看
这些栅极驱动输出
提供给接通并按住所需的峰值电流
高侧MOSFET ,以及关闭(OFF)的MOSFET。
这些栅极驱动器电路被从内部充电​​电
泵,因此,在整个补偿电压下降
被反射到的源极 - 栅极电路的负载
高边MOSFET 。
过压关断功能
当电源电压(V
IGN
)超过指定的
过压关断层面上,部分会自动关闭
向下,以保护内部电路以及负载。
操作返回时的V恢复
IGN
为了正常
经营水平。
33395
低侧栅极驱动电路
输出GDL1 , GDL2和GDL3提供驱动电压
向低侧外部MOSFET ( LS1 , LS2 , LS3和;见
10
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7