电气特性

动态电气特性

动态电气特性

表4.动态电气特性

特征条件下，指出-40 ° Ç

≤

T

A

≤

125°C ， 5.5 V

≤

V

IGNP

≤

24伏，除非另有说明。典型值

反映的近似参数是指在T

A

= 25℃，在正常条件下，除非另有说明。

特征

高边（ GDHn ）和低侧驱动器（ GDHn ）上升时间

（25 ％至75％ ），C

国际空间站

值= 2000 pF的

符号

t

RH

民

典型值

最大

单位

µs

–

t

FH

–

t

D1,

t

D2

1.0

0.2

t

ILIMDELAY

1.5

0.35

1.5

µs

高边（ GDHn ）和低侧驱动器（ GDHn ）下降时间

（75 ％至25％ ），C

国际空间站

值= 2000 pF的

直通抑制时间延迟（ 33395 ）

33395

33395T

限流时间延迟

0.25

1.5

µs

3.0

0.65

2.8

5.5

1.0

5.0

µs

笔记

8.查看

9.直通抑制时间延迟是为了防止直接相连的高边和低边MOSFET被上

同时。

10.限流延时：内部比较器将器件在电流限制模式时，比较器输出变为低电平

并设置一个内部逻辑位。这需要的时间是有限的，并表示作为限流时间延迟。

时序图

GDHn SRCn （％）

100

75

25

0

t

D1

t

RH

t

FH

t

D2

t

RL

全球发展学习网络，门V（ ％ ）

100

75

25

0

t

FL

时间

图4.直通抑制

33395

8

模拟集成电路设备数据

飞思卡尔半导体公司