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![]() 电气特性 动态电气特性 动态电气特性 表4.动态电气特性 特征条件下,指出-40 ° Ç ≤ T A ≤ 125°C , 5.5 V ≤ V IGNP ≤ 24伏,除非另有说明。典型值 反映的近似参数是指在T A = 25℃,在正常条件下,除非另有说明。 特征 高边( GDHn )和低侧驱动器( GDHn )上升时间 (25 %至75% ),C 国际空间站 值= 2000 pF的 符号 t RH 民 典型值 最大 单位 µs – t FH – t D1, t D2 1.0 0.2 t ILIMDELAY 1.5 0.35 1.5 µs 高边( GDHn )和低侧驱动器( GDHn )下降时间 (75 %至25% ),C 国际空间站 值= 2000 pF的 直通抑制时间延迟( 33395 ) 33395 33395T 限流时间延迟 0.25 1.5 µs 3.0 0.65 2.8 5.5 1.0 5.0 µs 笔记 8.查看 9.直通抑制时间延迟是为了防止直接相连的高边和低边MOSFET被上 同时。 10.限流延时:内部比较器将器件在电流限制模式时,比较器输出变为低电平 并设置一个内部逻辑位。这需要的时间是有限的,并表示作为限流时间延迟。 时序图 GDHn SRCn (%) 100 75 25 0 t D1 t RH t FH t D2 t RL 全球发展学习网络,门V( % ) 100 75 25 0 t FL 时间 图4.直通抑制 33395 8 模拟集成电路设备数据 飞思卡尔半导体公司
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