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RNRJ3014DSB14  ROT156BF1CT502E1  RNRK10R0DMR64  RNRJ3014DRR36  ROT156BF3BU502E1  RNRK10R0DRB14  RNRJ3014DMBSL  RNRK10R0BMRSL  RNRJ3014FPBSL  RNRK10R0DMB14  
MC68HC08JK8CDW 增编MC68HC908JL8技术参数 (Addendum to MC68HC908JL8 Technical Data)
.型号:   MC68HC08JK8CDW
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描述: 增编MC68HC908JL8技术参数
Addendum to MC68HC908JL8 Technical Data
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100%
飞思卡尔半导体公司
HC908JL8AD/D
保留寄存器
这两个寄存器的$ FE08和$ FFCF都在保留的位置
MC68HC08JL8.
在MC68HC908JL8 ,这两个位置都是FLASH控制寄存器
和FLASH块保护分别注册。
面膜选项
注册
面膜选择寄存器的$ FFD0是只读的。该值由掩膜限定
选项​​(硬连线的连接)来指定在该时间作为ROM代码
提交。
在MC68HC908JL8 ,该MOR被实现为闪存,其可以是
编程,擦除和读出。
飞思卡尔半导体公司...
监控ROM
监视程序(监控ROM: $ FE10- $ FFCE )的MC68HC08JL8是
只有设备测试。 $ FC00- $ FDFF未使用。
电气规格为MC68HC908JL8适用于MC68HC08JL8 ,
除了下面所示的参数。
电动
特定网络阳离子
直流电气
特征
表2.直流电气特性( 5V )
特征
(1)
V
DD
电源电流,女
OP
= 8MHz的
RC振荡器选项
低电压抑制,跳闸电压下降
低电压抑制,跳闸电压上升
符号
I
DD
V
TRIPF
V
TRIPR
典型值
(2)
最大
单位
值相同,并且从表征
MC68HC908JL8 ,但未经测试。
3.55 (3.60)
(3)
3.66 (3.75)
4.02 (4.25)
4.13 (4.40)
4.48 (4.48)
4.59 (4.63)
V
V
1. V
DD
= 4.5 〜5.5伏,V
SS
= 0伏,T
A
= T
L
给T
H
中,除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内, 25中点测量平均
°C
只。
3.括号中的数字是MC68HC908JL8值。
表3.直流电气特性( 3V )
特征
(1)
V
DD
电源电流,女
OP
= 4MHz的
RC振荡器选项
低电压抑制,触发电压
(实施3V LVI无滞后)
符号
I
DD
V
LVI3
典型值
(2)
最大
单位
值相同,并且从表征
MC68HC908JL8 ,但未经测试。
2.1 (2.18)
(3)
2.4 (2.49)
2.69 (2.68)
V
1. V
DD
= 2.7〜 3.3伏,V
SS
= 0伏,T
A
= T
L
给T
H
中,除非另有说明。
2.典型值反映的电压范围内, 25中点测量平均
°C
只。
3.括号中的数字是MC68HC908JL8值。
增编MC68HC908JL8技术参数
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