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MPC8548EVUAQH 的PowerQUICC ™III集成处理器硬件规格 (PowerQUICC™ III Integrated Processor Hardware Specifications)
.型号:   MPC8548EVUAQH
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描述: 的PowerQUICC ™III集成处理器硬件规格
PowerQUICC™ III Integrated Processor Hardware Specifications
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页数 : 144 页
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DDR和DDR2 SDRAM
6
DDR和DDR2 SDRAM
本节介绍了直流和交流电气规格的的DDR SDRAM接口
MPC8548E 。需要注意的是GV
DD
(典型值)= 2.5 V的DDR SDRAM和GV
DD
(典型值)= 1.8 V的DDR2
SDRAM 。
6.1
DDR SDRAM直流电气特性
提供推荐工作条件的DDR2 SDRAM控制器
MPC8548E当GV
DD
(典型值)= 1.8 V
.
表11. DDR2 SDRAM直流电气特性的GV
DD
(典型值)= 1.8 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流(V
OUT
= 1.420 V)
输出低电流(V
OUT
= 0.280 V)
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
1.71
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.125
–0.3
–50
–13.4
13.4
最大
1.89
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.125
50
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
笔记
1
2
3
4
注意事项:
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM Ⅴ的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计是等于0.5的
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动,在接收端进行测量。峰 - 峰
在MV的噪音
REF
不得超过DC值的±2%。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预期为
等于MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化, MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时,所有输出关闭, 0 V
V
OUT
GV
DD
.
提供了DDR2的I / O容量时, GV
DD
(典型值) = 1.8 V.
表12. DDR2 SDRAM容量为GV
DD
(典型值)= 1.8 V
参数/条件
输入/输出电容: DQ , DQS , DQS
三角洲输入/输出电容: DQ , DQS , DQS
符号
C
IO
C
DIO
6
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1
1
注意:
1.该参数进行采样。 GV
DD
= 1.8 V± 0.090 V,F = 1 MHz时,T
A
= 25 ° C,V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
(峰 - 峰值) = 0.2V。
MPC8548E的PowerQUICC ™III集成处理器的硬件规格,版本6
飞思卡尔半导体公司
19
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