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500SDBBMACHR  500SEBCMACHR  500SDBFMACHR  500SAAEMACFR  500SAAAMACFR  500SABCMACHR  2SC4702_11  500SEACMACHR  2SC4050KIETR-H  2SB1691WL-TL-H  
MRF6S21100HR3 射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向的MOSFET (RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
.型号:   MRF6S21100HR3
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描述: 射频功率场效应晶体管N沟道增强模式横向的MOSFET
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
文件大小 :   432 K    
页数 : 12 页
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品牌   FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF6S21100H
第2版​​, 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA , CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin Ç姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏,
I
DQ
= 950毫安,P
OUT
= 23瓦平均,全频段,信道频带 -
宽度= 3.84兆赫,峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 %的概率。
功率增益 - 15.9分贝
漏极效率 - 27.6 %
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 39.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 : 1 VSWR , @ 28伏直流, 2140兆赫, 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配,控制Q,为方便使用
资格高达32 V ,最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息, 40
µ
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
MRF6S21100HR3
MRF6S21100HSR3
2170兆赫, 23瓦平均, 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ,风格1
NI - 780
MRF6S21100HR3
CASE 465A - 06 ,风格1
NI - 780S
MRF6S21100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
388
2.2
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度80 ° C, 100瓦CW
外壳温度77 ° C, 23瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.45
0.52
单位
° C / W
1.参考AN1955 / D,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
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MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
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