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P140KH1-F25AR5K  P140KH1-Y30CR500K  P140KH1-F25BR1MEG  P140KH1-F25CR100K  P140KH1-Y35AR1K  P140KH1-F2BR20K  P140KH1-F25BR10K  P140KH1-F2BR5K  P140KH1-Y35BR500  P140KH1-Y35CR1K  
MRF6S9045NR1 射频功率场效应晶体管 (RF Power Field Effect Transistors)
.型号:   MRF6S9045NR1
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描述: 射频功率场效应晶体管
RF Power Field Effect Transistors
文件大小 :   529 K    
页数 : 16 页
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品牌   FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF6S9045
第1版,第6/2005号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号,常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫,V
DD
= 28伏,
I
DQ
= 350毫安, P
OUT
。 = 10瓦的魅力, IS - 95 CDMA (先导,同步,寻呼,
交通守则8 〜13 )信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 %的概率。
功率增益 - 22.7分贝
漏极效率 - 32 %
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47 dBc的@ 30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能: V
DD
= 28伏,我
DQ
= 350毫安,
P
OUT
= 16瓦的魅力,全频段( 921 - 960兆赫)
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 46 %
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 % RMS
GSM应用
典型的GSM业绩: V
DD
= 28伏,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 45瓦,
全频段( 921 - 960兆赫)
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 68 %
能够处理5 : 1 VSWR , @ 28伏直流电, 880兆赫, 45瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
ñ后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
TO - 270 - 2在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位,
13英寸的卷轴。
TO - 272 - 2在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位,
13英寸的卷轴。
MRF6S9045NR1
MRF6S9045NBR1
MRF6S9045MR1
MRF6S9045MBR1
880兆赫,10W平均, 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
宽带射频功率MOSFET
CASE 1265- 08 ,风格1
TO - 270 - 2
塑料
MRF6S9045NR1(MR1)
CASE 1337至1303年,风格1
TO - 272 - 2
塑料
MRF6S9045NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, + 12
175
1.0
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司, 2005年。保留所有权利。
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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