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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MRF6S9045
第1版,第6/2005号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号,常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫,V
DD
= 28伏,
I
DQ
= 350毫安, P
OUT
。 = 10瓦的魅力, IS - 95 CDMA (先导,同步,寻呼,
交通守则8 〜13 )信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 %的概率。
功率增益 - 22.7分贝
漏极效率 - 32 %
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47 dBc的@ 30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能: V
DD
= 28伏,我
DQ
= 350毫安,
P
OUT
= 16瓦的魅力,全频段( 921 - 960兆赫)
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 46 %
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 % RMS
GSM应用
典型的GSM业绩: V
DD
= 28伏,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 45瓦,
全频段( 921 - 960兆赫)
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 68 %
能够处理5 : 1 VSWR , @ 28伏直流电, 880兆赫, 45瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
ñ后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
TO - 270 - 2在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位,
13英寸的卷轴。
TO - 272 - 2在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位,
13英寸的卷轴。
MRF6S9045NR1
MRF6S9045NBR1
MRF6S9045MR1
MRF6S9045MBR1
880兆赫,10W平均, 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
宽带射频功率MOSFET
CASE 1265- 08 ,风格1
TO - 270 - 2
塑料
MRF6S9045NR1(MR1)
CASE 1337至1303年,风格1
TO - 272 - 2
塑料
MRF6S9045NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, + 12
175
1.0
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司, 2005年。保留所有权利。
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度81 ° C, 45瓦CW
外壳温度79 ° C, 10瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
1.0
1.1
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
1A (最小值)
A(最小)
IV (最低)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 200
µA)
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流,我
D
= 350 MADC )
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1.0 ADC)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 3 ADC)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
77
27
0.78
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
g
fs
1
2
2
2.9
0.22
4
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 10瓦的魅力, F = 880 MHz的单 - 载波
N - CDMA , 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。 PAR = 9.8分贝
@ CCDF上0.01 %的概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
MRF6S9045NR1(MR1)
MRF6S9045NBR1(MBR1)
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21
30.5
- 20
- 20
-9
-7
22.7
32
- 47
25
- 45
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
符号
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
(飞思卡尔GSM EDGE测试夹具优化921 - 960兆赫, 50
οhm
系统)
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
。 = 16 W平均, F = 921 - 960兆赫, GSM EDGE信号
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生,在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
20
46
1.5
- 62
- 78
dB
%
%
dBc的
dBc的
典型CW性能
(飞思卡尔GSM测试夹具优化921 - 960兆赫, 50
οhm
系统)V
DD
= 28伏直流,
I
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 45 W, F = 921 - 960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点
( F = 940兆赫)
G
ps
η
D
IRL
P1dB
20
68
- 12
52
dB
%
dB
W
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
R1
V
BIAS
+
C15
RF
输入
R2
L2
R3
C7
L1
Z10
C5
Z1
C1
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.215″
0.221″
0.500″
0.460″
0.040″
0.280″
0.087″
0.435″
0.057″
x 0.065″
x 0.065″
x 0.100″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.525″
x 0.525″
x 0.525″
C3
C4
C6
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C9
DUT
C8
Z11
Z12
B2
+
C10
C16
+
C17
+
V
供应
C18
RF
产量
Z16
C14
Z13
Z14
Z15
C11
C12
C13
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.530 “锥
微带
微带
微带
0.360 “× 0.270 ”微带
0.063 “× 0.270 ”微带
0.360 “× 0.065 ”微带
0.095 “× 0.065 ”微带
0.800 “× 0.065 ”微带
0.260 “× 0.065 ”微带
0.325 “× 0.065 ”微带
Taconic的RF - 35 0.030 “ ,
ε
r
= 3.5
图1. MRF6S9045NR1 ( MR1 ) / NBR1 ( MBR1 )测试电路原理图
表6. MRF6S9045NR1 ( MR1 ) / NBR1 ( MBR1 )测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C7, C10, C14
C2, C4, C12
C3
C5, C6
C8, C9
C11
C13
C15, C16, C17
C18
L1, L2
R1
R2
R3
铁氧体磁珠
铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器, Gigatrim
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容, Gigatrim
10
µF,
35 V钽电容器
220
µF,
50 V电解电容
12.5 nH的电感器
1 kΩ的片式电阻
560 kΩ的片式电阻器
12
贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
100B470JP500X
27291SL
100B150JP500X
100B120JP500X
100B130JP500X
100B7R5JP500X
27271SL
T491D106K035AS
678D227M025CG3D
A04T - 5
CRCW12061001F100
CRCW12065603F100
CRC120612R0F100
生产厂家
爱色丽博览会
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
基美
日前,Vishay
Coilcraft公司
日前,Vishay戴尔
日前,Vishay戴尔
日前,Vishay戴尔
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C15
R2
R3
R1
C18
V
DD
C16 C17
B2
C7
C5
C8
C3
C6
切出区
C4
C10
L2
V
GG
B1
L1
C1
C2
C14
C9
C11
C12
C13
TO−270/272
表面/
狼吞虎咽
图2. MRF6S9045NR1 ( MR1 ) / NBR1 ( MBR1 )测试电路元件布局
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
RF设备数据
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5
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