MB84VD22192EC-90-PBS

更新时间:2024-09-18 01:53:47
品牌:FUJITSU
描述:32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM

MB84VD22192EC-90-PBS 概述

32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM 32M ( ×8 / X16 )Flash存储器和4M ( ×8 / ×16)静态RAM 其他内存集成电路

MB84VD22192EC-90-PBS 规格参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA73,10X12,32
针数:73Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.44
最长访问时间:90 ns其他特性:256K X 16-BIT SRAM ALSO AVAILABLE
JESD-30 代码:R-PBGA-B73JESD-609代码:e0
长度:11.6 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:16
混合内存类型:FLASH+SRAM功能数量:1
端子数量:73字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA73,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.4 mm
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.053 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm

MB84VD22192EC-90-PBS 数据手册

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