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富士通半导体
数据表
DS04-23112-1E
ASSP
移动通信系统
压电SAW带通滤波器
(700至1000兆赫)
F5CH系列( L2型)
s
描述
该F5CH系列SAW带通滤波器适用于频率范围700 〜1000兆赫。
的SAW滤波器被制造在钽酸锂(钽酸锂
3
)基体,产生的过滤器具有一个宽的频
带宽,在通带和优良的稳定性,由于高的机电耦合系数低的插入损耗
的材料制成。
一系列的过滤器被安置在一个小面的F5CH贴装封装。此外,在通带的阻抗是
50欧姆,因此应用无需外部匹配电路。
该F5CH系列SAW滤波器适合于在移动通信系统中的频率间的RF滤波器
范围700至1000兆赫。标准设备可用于AMPS, ETACS ,GSM, EGSM , PDC等等。
s
特点
低插入损耗和高衰减
高承受功率( 0.2瓦)
超小型和轻型封装(3.8 MM)
外部匹配电路是不需要的。
表面贴装型封装( SMT )
全球移动通信系统的各种标准设备
( AMPS , GSM , EGSM , ETACS , PDC800 , NTACS ,2个双向寻呼机等)
s
˚F MD
1
r
1
1
F5CH系列( L2型)
s
引脚分配
(底视图)
(1)
(2)
(3)
(6)
(5)
(4)
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
GND
IN
GND
GND
OUT
GND
接地引脚
输入引脚
接地引脚
接地引脚
输出引脚
接地引脚
描述
s
绝对最大额定值(见警告)
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
频带
符号
T
a
T
英镑
P
IN
等级
-30至+85
-40至+100
200
700至+1000
单位
°C
°C
mW
兆赫
警告:
如果上述Parmanent设备损坏,可能会发生
绝对最大额定值
被超过。
功能操作应限制条件中的业务部门详细
此数据表。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
s
推荐工作条件
参数
工作温度
符号
T
a
价值
-30至+85
单位
°C
2
F5CH系列( L2型)
s
标准频率
系统
Tx
AMPS / ADC
Rx
Tx
Rx
NTACS
Tx
Rx
Tx
GSM / NMT
Rx
Tx
EGSM
Rx
Tx
PDC800
双频
PDC800
ISM900
N-二PCS ( 2路
寻呼机)
Rx
Tx
Rx
881.5
888.5
933.5
911.5
856.5
902.5
947.5
897.5
942.5
950.0
820.0
941.5
915.0
935.0
25
33
33
27
27
25
25
35
35
20
20
33
26
12
中心频率。
(兆赫)
836.5
BW
(兆赫)
25
部分
符号
AL
AW
AM
AV
CL
CW
CM
DL
DM
EW
EM
EV
KL
KM
KV
FW
FM
FV
MD
JW
LA
产品型号
FAR-F5CH-836M50-L2AL
FAR-F5CH-836M50-L2AW
FAR-F5CH-881M50-L2AM
FAR-F5CH-881M50-L2AV
FAR-F5CH-888M50-L2CL
FAR-F5CH-888M50-L2CW
FAR-F5CH-933M50-L2CM
FAR-F5CH-911M50-L2DL
FAR-F5CH-856M50-L2DM
FAR-F5CH-902M50-L2EW
FAR-F5CH-947M50-L2EM
FAR-F5CH-947M50-L2EV
FAR-F5CH-897M50-L2KL
FAR-F5CH-942M50-L2KM
FAR-F5CH-942M50-L2KV
FAR-F5CH-950M00-L2FW
FAR-F5CH-820M00-L2FM
FAR-F5CH-820M00-L2FV
FAR-F5CH-940M50-L2MD
FAR-F5CH-915M00-L2JW
FAR-F5CH-935M00-L2LA
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
高ATT 。类型
备注
ETACS
3
F5CH系列( L2型)
s
电气特性
1. AMPS / ADC (TX)
部件号: FAR - F5CH - 836M50 - L2AL
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
带内VSWR
符号
IL
条件
824至849兆赫
824至849兆赫
869至894兆赫
824至849兆赫
价值
分钟。
20
典型值。
1.6
1.0
25
1.8
马克斯。
2.5
2.0
2.0
单位
dB
dB
dB
备注
2. AMPS / ADC (德克萨斯州)高衰减型
部件号: FAR - F5CH - 836M50 - L2AW
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
符号
IL
条件
824至849兆赫
824至849兆赫
DC至800 MHz的
869至1049兆赫
1049年至2000年兆赫
824至849兆赫
价值
分钟。
28
30
25
典型值。
2.6
1.0
31
38
30
1.8
马克斯。
3.5
2.0
2.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
备注
带内VSWR
3. AMPS / ADC ( Rx)的
部件号: FAR - F5CH - 881M50 - L2AM
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
符号
IL
条件
869至894兆赫
869至894兆赫
DC至849 MHz的
914至939兆赫
939至1049兆赫
1049年至2000年兆赫
869至894兆赫
价值
分钟。
20
20
25
20
典型值。
2.5
1.0
24
30
30
23
1.8
马克斯。
3.5
2.0
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
备注
带内VSWR
4
F5CH系列( L2型)
4. AMPS / ADC ( Rx)的高衰减型
部件号: FAR - F5CH - 881M50 - L2AV
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
符号
IL
条件
869至894兆赫
869至894兆赫
DC至779 MHz的
779至849兆赫
914至939兆赫
939至1049兆赫
1049年至2000年兆赫
869至894兆赫
价值
分钟。
25
35
20
40
25
典型值。
3.0
1.0
33
40
30
42
30
1.7
马克斯。
3.5
2.0
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
备注
带内VSWR
5. ETACS (TX)
部件号: FAR - F5CH - 888M50 - L2CL
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
带内VSWR
符号
IL
条件
872至905兆赫
872至905兆赫
917至950 MHz
872至905兆赫
价值
分钟。
10
典型值。
3.0
1.5
15
2.0
马克斯。
5.0
2.5
单位
dB
dB
dB
备注
6. ETACS (德克萨斯州)高衰减型
部件号: FAR - F5CH - 888M50 - L2CW
(T
a
= -30 〜+ 85℃ )
参数
插入损耗
带内纹波
绝对衰减
符号
IL
条件
872至905兆赫
872至905兆赫
DC至850 MHz的
917至925兆赫
925至950 MHz
950〜 1100兆赫
1100至2000年兆赫
872至905兆赫
价值
分钟。
30
10
20
35
25
典型值。
3.8
2.0
34
15
30
45
30
2.0
马克斯。
5.5
3.5
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
备注
带内VSWR
5
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