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930C6S47K-F  932A-100/102TR1812A  930C4W3P9K-F  930C4P47K-F  930C4P15K-F  931AS-3R4M  930C4W2P7K-F  9312-01  931AS-6R3M  930C4S68K-F  
MB82DP02183F-65L 手机内存FCRAM的CMOS 32位(2M字×16位)手机专用内存 (MEMORY Mobile FCRAM CMOS 32 M Bit (2 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory)
型号:   MB82DP02183F-65L
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描述: 手机内存FCRAM的CMOS 32位(2M字×16位)手机专用内存
MEMORY Mobile FCRAM CMOS 32 M Bit (2 M word x 16 bit) Mobile Phone Application Specific Memory
文件大小 :   185 K    
页数 : 32 页
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品牌   FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
购买 :   
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富士通微电子
数据表
DS05-11460-1E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
32位(2M字
×
16位)的
手机专用内存
MB82DP02183F
-65L
描述
该MB82DP02183F是CMOS快速周期随机存取存储器( FCRAM *)与异步静态
随机存取存储器(SRAM )中含有一个16位格式访问33 , 554 , 432存储器接口。
这MB82DP02183F适合于移动应用,如蜂窝手机和PDA 。
* : FCRAM是富士通微电子有限公司,日本的商标。
特点
异步SRAM接口
快速访问时间:吨
AA
= t
CE
= 65 ns(最大值)
8个字第接入能力:吨
PAA
= 20 ns(最大值)
低电压工作条件: V
DD
= 2.6 V至3.1 V
工作温度:T已
A
= 0
°C
to
+
70
°C
由LB和UB字节控制
低功耗:我
DDA1
= 30 mA最大
I
DDS1
= 120
μA
最大
•各种省电模式:睡眠
4 M位偏
8 M位偏
主要技术指标
参数
访问时间(最大)(T
CE
, t
AA
)
工作电流(最大值) (我
DDA1
)
待机电流(最大值) (我
DDS1
)
掉电电流(最大值) (我
DDPS
)
MB82DP02183F-65L
65纳秒
30毫安
120
μA
10
μA
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2009.8
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