MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
富士通半导体
数据表
DS05-50206-1E
堆叠MCP (多芯片封装)Flash存储器SRAM &
CMOS
32M ( × 8 / × 16 )Flash存储器&
4M ( × 8 / × 16 )静态RAM
MB84VD2218XEG
-90
/MB84VD2219XEG
-90
MB84VD2218XEH
-90
/MB84VD2219XEH
-90
s
特点
2.7 V至3.3 V •电源电压
•高性能
90 ns的最大访问时间(闪存)
85 ns的最大访问时间( SRAM )
•工作温度
-25 ° C至+ 85°C
•包71球BGA
(续)
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F,V
CC
S = 3.0 V
+0.3 V
–0.3 V
SRAM
MB84VD2218XEG/EH-90/MB84VD2219XEG/EH-90
90
90
40
85
85
45
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
s
71球FBGA封装胶
(BGA-71P-M02)
MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH
-90
(续)
1.FLASH记忆
•可同时读/写操作(双行)
可使用不同大小的银行多台设备
主机系统可以编程或擦除一家银行,然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
•最少100,000次写/擦除周期
•扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
•启动代码部门架构
MB84VD2218X :热门行业
MB84VD2219X :底部部门
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪 - 忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式。
•低V
CC
˚F写禁止
2.5 V
•隐藏ROM (高-ROM )地区
的Hi- ROM为64K字节,通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护,以提供一个安全的电子序列号(ESN )
• WP / ACC输入引脚
在V
IL
,使保护引导扇区,无论部门保护/解除保护状态
( MB84VD2218XEG / EH : SA69 , SA70 MB84VD2219XEG / EH : SA0 , SA1 )
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
,节目时间将由40 % reduse 。
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读
•请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2.SRAM
•功耗
操作: 50mA以下。
待机: 15
µA
马克斯。
•关机功能使用CE1S和CE2s
•数据保持电源电压: 1.5 V至3.3 V
• CE1S和CE2s片选
•字节数据控制:磅( DQ
0
到DQ
7
) ,瑞银( DQ
8
到DQ
15
)
2
MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH
-90
s
引脚分配
( TOP VIEW )
侧面标
A8
北卡罗来纳州
B8
北卡罗来纳州
D8
A
15
E8
北卡罗来纳州
F8
北卡罗来纳州
G8
A
16
H8
CIOf
J8
VSS
L8
北卡罗来纳州
M8
北卡罗来纳州
A7
北卡罗来纳州
B7
北卡罗来纳州
C7
A
11
D7
A
12
E7
A
13
F7
A
14
G7
SA
H7
DQ
15
/A-
1
J7
DQ
7
K7
DQ
14
L7
北卡罗来纳州
M7
北卡罗来纳州
C6
A
8
D6
A
19
E6
A
9
F6
A
10
G6
DQ
6
H6
DQ
13
J6
DQ
12
K6
DQ
5
C5
WE
D5
CE2s
E5
A
20
H5
DQ
4
J5
VCCS
K5
首席信息官
C4
D4
E4
RY / BY
H4
DQ
3
J4
VCCF
K4
DQ
11
WP / ACC RESET
C3
LBS
D3
瑞银
E3
A
18
F3
A
17
G3
DQ
1
H3
DQ
9
J3
DQ
10
K3
DQ
2
A2
北卡罗来纳州
C2
A
7
D2
A
6
E2
A
5
F2
A
4
G2
V
SS
H2
OE
J2
DQ
0
K2
DQ
8
L2
北卡罗来纳州
M2
北卡罗来纳州
A1
北卡罗来纳州
B1
北卡罗来纳州
D1
A
3
E1
A
2
F1
A
1
G1
A
0
H1
持续进修基金
J1
CE1s
L1
北卡罗来纳州
M1
北卡罗来纳州
(BGA-71P-M02)
3
MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH
-90
s
引脚说明
PIN号
G1
F1
E1
D1
F2
E2
D2
C2
C6
E6
F6
C7
D7
E7
F7
D8
G8
F3
H7
E3
D6
E5
G7
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A-
1
A
18
A
19
A
20
SA
地址输入( SRAM )
I
地址输入(闪光)
I
地址输入(通用)
I
功能
输入/输出
(续)
4
MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH
-90
(续)
PIN号
J2
G3
K3
H4
H5
K6
G6
J7
K2
H3
J3
K4
J6
H6
K7
H7
H1
J1
D5
H2
C5
E4
D3
C3
H8
引脚名称
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
持续进修基金
CE1s
CE2s
OE
WE
RY / BY
瑞银
LBS
CIOf
芯片使能(闪存)
芯片使能( SRAM )
芯片使能( SRAM )
输出使能(普通)
写使能(普通)
就绪/忙输出(闪存)开漏输出
高字节控制( SRAM )
低字节控制( SRAM )
I / O配置(闪存)
CIOf
=
VCCF是字模式(
×
16)
CIOf
=
V
SS
是字节模式(
×
8)
I / O配置( SRAM )
首席信息官
=
VCCS是字模式(
×
16)
首席信息官
=
V
SS
是字节模式(
×
8)
硬件复位引脚/扇区保护解锁(闪光)
写保护/加速(闪光)
I
I
I
I
I
O
I
I
I
数据输入/输出(普通)
I / O
功能
输入/输出
K5
D4
C4
首席信息官
RESET
WP / ACC
I
I
I
(续)
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

MB84VD22184EH-90PBS

Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA71, PLASTIC, BGA-71
0 FUJITSU

MB84VD22184EH-90-PBS

32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
14 FUJITSU

MB84VD22184FM

32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
21 SPANSION

MB84VD22184FM-70

32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM
33 SPANSION

MB84VD22184FM-70PBS

32M (X16) FLASH MEMORY & 4M (X16) STATIC RAM
33 SPANSION

MB84VD22184FM-70PBS

32M (x16) FLASH MEMORY AND 4M (x16) STATIC RAM
23 SPANSION
    MB84VD22184EH-90
    应用领域和描述
    存储

    32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM
    32M ( ×8 / X16 )Flash存储器和4M ( ×8 / ×16)静态RAM

    总63页 (1270K) FUJITSU COMPONENT LIMITED.
    FUJITSU COMPONENT LIMITED.
    第一页预览: