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1N5365B  2KBP005M_00  105RSS050M  1N5367B  2SB900  227RSS010M  2SK3141-E  0885234611  32C81  1N5384B  
1MBI900V-120-50 IGBT模块( V系列) 1200V / 900A / 1在一个封装 (IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package)
.型号:   1MBI900V-120-50
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描述: IGBT模块( V系列) 1200V / 900A / 1在一个封装
IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package
文件大小 :   453 K    
页数 : 7 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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100%
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
1MBI900V-120-50
IGBT模块( V系列)
1200V / 900A / 1在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
最大额定值和特性
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
-IC
-Ic脉冲
Pc
Tj
Tjop
Tc
TSTG
V
ISO
-
M4
M6
条件
最大额定值
1200
±20
900
1080
1800
900
1800
4280
175
150
125
-40~+125
2500
6.0
2.0
5.0
单位
V
V
连续
1ms
1ms
1设备
Tc=100°C
Tc=25°C
A
集电极耗散功率
结温
工作结温
(开关条件下)
外壳温度
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
安装(* 2)
螺杆转矩
端子( * 3 )
注* 1:在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 :值得推荐值: 3.0-6.0米( M5 , M6 )
注* 3 :值得推荐值: 1.1-2.0米( M4 )
推荐值: 2.5-5.0米( M6 )
W
°C
AC: 1分钟。
VAC
Nm
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有说明)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(终奌站)
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 900毫安
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
V
GE
= 15V
I
C
= 900A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V , F = 1MHz的
V
CC
= 600V ,我
C
= 900A
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 1.5/-0.9Ω
TJ = 150℃ , LS = 30nH间变化
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
1600
6.0
6.5
7.0
-
2.10
2.55
-
2.35
-
2.40
-
1.90
2.15
-
2.15
-
2.20
-
72.8
-
-
0.75
-
-
0.32
-
-
0.15
-
-
0.85
-
-
0.10
-
-
2.00
2.45
-
2.15
-
2.10
-
1.70
2.15
-
1.85
-
1.80
-
0.3
-
单位
mA
nA
V
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(片)
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
资本投资者入境计划
tr
潮流(ⅰ)
花花公子
tf
V
F
(终奌站)
V
F
(片)
TRR
V
nF
µs
正向电压上
V
GE
= 0V
I
F
= 900A
V
反向恢复时间
I
F
= 900A
µs
1
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