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2MBI150HH-120-50
高速IGBT模块
1200V / 150A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
软交换的应用
工业机械,如焊接机
IGBT模块
特点
应用
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
CES
V
GES
Ic
最大额定值和特性
条件
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC: 1分钟。
集电极电流
IC脉冲
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
安装(* 2)
螺杆转矩
-
端子( * 3 )
注* 1 :所有终端应连接在一起时,隔离测试将完成。
注* 2 :值得推荐值:安装2.5〜 3.5米( M5或M6 )
注* 3 :值得推荐值:终端3.5〜 4.5米( M6 )
最大额定值
1200
±20
200
150
400
300
50
100
1390
+150
-40 ~ +125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有说明)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(终奌站)
V
CE (SAT)
(片)
资本投资者入境计划
花花公子
tf
V
F
(终奌站)
V
F
(片)
R导线
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
打开-O FF时间
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 150毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
V
CC
= 600V ,我
C
= 150A
V
GE
= ± 15V ,R
G
= 2.1Ω
LS = 20nH
V
GE
= 0V
I
F
= 50A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
400
5.7
6.2
6.7
-
3.40
3.70
-
4.20
-
-
3.20
3.50
-
4.00
-
-
12
-
-
0.30
0.60
-
-
-
-
-
0.05
1.85
2.00
1.70
1.85
1.20
0.20
2.30
-
2.15
-
-
单位
mA
nA
V
V
nF
µs
正向电压上
引线电阻,终端芯片( * 4)
注* 4 :手臂之间最大的内部终端电阻。
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
V
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1个设备) ( * 5 )
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.09
-
-
0.65
-
0.025
-
单位
° C / W
注* 5 :这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
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特性(代表)
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
Tj=25
o
C /片
400
400
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
Tj=125
o
C /片
集电极电流IC [ A]
300
集电极电流IC [ A]
12V 15V
V
GE
=20V
10V
300
15V 12V
V
GE
=20V
10V
200
200
8V
100
8V
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
8
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 15V /片
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压(典型值)。
Tj=25
o
C /片
10
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
400
集电极电流IC [ A]
300
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
8
6
Ic=400A
Ic=200A
Ic=100
200
4
100
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
8
0
5
10
15
20
栅极 - 发射极电压: V
GE
[ V ]
25
电容与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 0V , F = 1MHz时, TJ = 25℃
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ 200V / DIV ]
栅极 - 发射极电压: V
GE
[ 5V / DIV ]
100.0
电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ nF的]
动态栅极电荷(典型值)
VCC = 600V , IC = 150A , TJ = 25
o
C
10.0
资本投资者入境计划
V
GE
1.0
卓越中心
CRES
0.1
0
10
20
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
30
V
CE
0
0
100
200
300
栅极电荷:的Qg [ NC ]
400
2
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IGBT模块
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
=2.1Ω,Tj=25ºC
1000
开关时间:花花公子, TF [纳秒]
开关时间:花花公子, TF [纳秒]
1000
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
=2.1Ω,Tj=125ºC
花花公子
100
花花公子
100
tf
tf
10
0
100
200
集电极电流IC [ A]
300
10
0
100
200
集电极电流IC [ A]
300
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 600V , IC = 150A ,V
GE
=±15V,Tj=25ºC
1000
开关损耗:的Eoff [兆焦耳/脉冲]
开关时间:花花公子, TF [纳秒]
花花公子
15
开关损耗与集电极电流(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
=2.1Ω
10
Eoff(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
100
5
tf
10
1
10
栅极电阻,R
G
[ Ω ]
100
0
0
50
100
150
200
集电极电流IC [ A]
250
300
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 600V , IC = 150A ,V
GE
=±15V,Tj=125ºC
20
开关损耗:的Eoff [兆焦耳/脉冲]
400
反向偏压安全工作区(最大)
+V
GE
=15V, -V
GE
< = 15V ,R
G
> = 2.1Ω , TJ < = 125℃
EOFF
10
集电极电流IC [ A]
300
200
100
0
1
10
栅极电阻,R
G
[ Ω ]
100
0
0
400
800
1200
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
1600
3
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IGBT模块
正向电流与正向电压(典型值)。
芯片
125
热阻: Rth的(J -C ) [ C / W ]
100
75
50
25
0
0
1
2
3
正向电压: V
F
[ V ]
4
Tj=25ºC
Tj=125ºC
1.000
瞬态热阻抗(最大)
FWD
正向电流:我
F
[ A ]
0.100
IGBT
0.010
0.001
0.001
0.010
0.100
脉冲宽度:P
W
[秒]
1.000
4
2MBI150HH-120-50
外形图,毫米
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IGBT模块
等效电路示意
C1
G1
E1
C2E1
G2
E2
E2
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