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2MBI300VD-120-50 IGBT模块( V系列) 1200V / 300A / 2在一个封装 (IGBT MODULE (V series) 1200V / 300A / 2 in one package)
.型号:   2MBI300VD-120-50
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描述: IGBT模块( V系列) 1200V / 300A / 2在一个封装
IGBT MODULE (V series) 1200V / 300A / 2 in one package
文件大小 :   403 K    
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100%
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI300VD-120-50
IGBT模块( V系列)
1200V / 300A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
条件
Tc=80°C
Tc=25°C
连续
1ms
1ms
1设备
IC脉冲
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
工作结温(开关条件下)
T
JOP
外壳温度
T
C
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
安装(* 2)
螺杆转矩
-
端子( * 3 )
AC: 1分钟。
最大额定值
1200
±20
300
360
600
300
600
2205
175
150
125
-40 ~ +125
2500
6.0
5.0
单位
V
V
W
°C
VAC
Nm
注* 1:在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 :值得推荐值: 3.0-6.0米( M5或M6 )
注* 3 :值得推荐值: 2.5-5.0米( M6 )
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有说明)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(终奌站)
V
CE (SAT)
(片)
资本投资者入境计划
tr
潮流(ⅰ)
花花公子
tf
V
F
(终奌站)
V
F
(片)
TRR
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 300毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 300A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
V
CC
= 600V
I
C
= 300A
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.8Ω
TJ = 150℃
V
GE
= 0V
I
F
= 300A
I
F
= 300A
条件
IGBT
FWD
随着热复合
集电极 - 发射极饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
正向电压上
反向恢复时间
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
400
6.0
6.5
7.0
-
2.00
2.45
-
2.35
-
2.40
-
1.85
2.10
-
2.15
-
2.00
-
24.0
-
-
0.60
-
-
0.20
-
-
0.05
-
-
0.80
-
-
0.08
-
-
1.85
2.25
-
2.00
-
1.95
-
1.70
1.95
-
1.85
-
1.80
-
0.15
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.068
-
-
0.110
-
0.013
-
单位
mA
nA
V
V
nF
µs
V
µs
单位
° C / W
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备) (* 4)
注* 4:这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
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