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2MBI400VB-060-50 IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装 (IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package)
.型号:   2MBI400VB-060-50
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描述: IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装
IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package
文件大小 :   417 K    
页数 : 6 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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100%
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI400VB-060-50
IGBT模块( V系列)
600V / 400A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
绝对最大额定值(在T
C
= 25 ° C除非另有规定编)
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
-C脉冲
集电极电流
-I
C
-I
-C脉冲
集电极耗散功率
P
C
结温
T
j
工作结温(开关条件下)
T
JOP
外壳温度
T
C
储存温度
T
英镑
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
安装(* 2)
-
螺杆转矩
端子( * 3 )
-
注* 1:在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 :值得推荐值: 2.5-3.5米( M5或M6 )
注* 3 :值得推荐值: 2.5-3.5米( M5 )
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
条件
T
C
=80°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC: 1分钟。
最大额定值
600
±20
400
800
400
800
1970
175
150
125
-40 ~ 125
2500
3.5
3.5
单位
V
V
W
°C
VAC
Nm
电气特性(在T
j
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(终奌站)
V
CE (SAT)
(片)
R
G( INT )
C
IES
t
on
t
r
t
r(下ⅰ)
t
关闭
t
f
V
F
(终奌站)
V
F
(片)
t
rr
符号
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 400毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 400A
V
GE
= 15V
I
C
= 400A
-
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
V
CC
= 300V
L
S
= 30nH间变化
I
C
= 400A
V
GE
= ±15V
R
G
= 3.3Ω
T
j
= 150°C
V
GE
= 0V
I
F
= 400A
V
GE
= 0V
I
F
= 400A
I
F
= 400A
条件
IGBT
FWD
随着热复合
集电极 - 发射极饱和电压
内部栅极电阻
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
正向电压上
反向恢复时间
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
400
6.2
6.7
7.2
-
1.90
2.35
-
2.20
-
2.30
-
1.60
2.05
-
1.90
-
2.00
-
2.0
-
-
25.6
-
-
650
-
-
300
-
-
100
-
-
600
-
-
70
-
-
1.75
2.20
-
1.65
-
1.62
-
1.60
2.05
-
1.50
-
1.47
-
200
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.076
-
-
0.140
-
0.025
-
单位
mA
nA
V
V
Ω
nF
纳秒
V
纳秒
单位
° C / W
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备) (* 4)
注* 4:这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
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