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42820  4283  42878-8458  42819  42878-6266  42878-1001  42878-8698  42784AG-08TR  4-284047-0  42878-8794  
2MBI400VD-060-50 IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装 (IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package)
.型号:   2MBI400VD-060-50
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描述: IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装
IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package
文件大小 :   416 K    
页数 : 6 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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100%
2MBI400VD-060-50
特性(代表)
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
TJ = 25 ° C /片
1000
800
集电极电流IC [ A]
600
400
200
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
0
0
10V
V
GE
=20V 15V
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
环境温度为150℃/芯片
1000
800
600
400
200
V
GE
= 20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
12V
10V
8V
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 15V /片
1000
TJ = 25 ℃, 125 ℃, 150℃
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C /片
10
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
800
集电极电流IC [ A]
8
600
6
400
4
Ic=800A
Ic=400A
Ic=200A
5
10
15
20
25
200
2
0
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
4
0
栅极 - 发射极电压: V
GE
[V]
栅极电容与集电极 - 发射极电压
V
GE
= 0V , ƒ = 1MHz时, TJ = 25°C
栅极电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ nF的]
***
集电极 - 发射极电压: V
CE
[100V/div]
栅极 - 发射极电压: V
GE
[5V/div]
100
动态栅极电荷(典型值)
VCC = 300V , IC = 400A , TJ = 25°C
资本投资者入境计划
V
CE
V
GE
10
卓越中心
CRES
1
0
5
10
15
20
25
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
栅极电荷:的Qg [ NC ]
2
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