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A1750A06B057F  PC-77DS1-8KM150-54  PC-77DS1-8KM210-54  PC-77DS1-8KP110-01  PC-77DS1-8KM230-55  PC-77DS1-8KM250-51  A1750A06B050F  A1750A06B048R  PC-77DS1-8KM130-51  A1750A06B043F  
2MBI400VD-060-50 IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装 (IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package)
.型号:   2MBI400VD-060-50
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描述: IGBT模块( V系列) 600V / 400A / 2在一个封装
IGBT MODULE (V series) 600V / 400A / 2 in one package
文件大小 :   416 K    
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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2MBI400VD-060-50
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
IGBT模块
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
= 3.3Ω , TJ = 125°C
10000
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
= 3.3Ω , TJ = 150℃
10000
1000
花花公子
tr
1000
花花公子
tr
100
tf
100
tf
10
0
200
400
600
800
1000
10
0
200
400
600
800
1000
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 300V , IC = 400A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 125°C
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [纳秒]
花花公子
tr
开关损耗与集电极电流(典型值)。
VCC = 300V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
= 3.3Ω , TJ = 125 ℃, 150℃
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
800
1000
ERR
10000
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
EOFF
1000
tf
100
10
0.1
1
10
100
1000
栅极电阻,R
G
[Ω]
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 300V , IC = 400A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 125 ℃, 150℃
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
60
50
40
30
20
10
0
1
10
栅极电阻,R
G
[Ω]
100
ERR
TJ = 125℃
Tj=150
o
C
o
反向偏压安全工作区(最大)
+V
GE
=15V, -V
GE
= 15V ,R
G
= 3.3Ω , TJ = 150℃
1000
EOFF
集电极电流IC [ A]
800
600
400
200
0
0
100
200
300
400
500
600
700
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
3
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