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http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI600U4G-120
IGBT模块( U系列)
1200V / 600A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
条件
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC: 1分钟。
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
安装(* 2)
M6
螺杆转矩
M8
端子( * 3 )
M4
注* 1 :所有终端应连接在一起时,隔离测试将完成。
注* 2 :值得推荐值:安装4.25 〜 5.75米( M6 )
注* 3 :值得推荐值:主端子8 〜 10米( M8 )
感测端子1.7 〜 2.5米( M4 )
最大额定值
1200
±20
800
600
1600
1200
600
1200
3670
150
-40 ~ +125
4000
5.75
10
2.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有说明)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(主终端)
V
CE (SAT)
(片)
资本投资者入境计划
tr
花花公子
tf
V
F
(主终端)
V
F
(片)
TRR
R导线
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启
打开-O FF
正向电压上
反向恢复
引线电阻,终端芯片( * 4)
注* 4 :手臂之间最大的内部终端电阻。
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 600毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 600A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
R
G
on
= 6.8Ω
V
CC
= 600V
R
G
关闭
= 2Ω
I
C
= 600A
V
GE
= ±15V
TJ = 125℃
V
GE
= 0V
I
F
= 600A
I
F
= 600A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
1200
5.5
6.5
7.5
-
2.08
2.26
-
2.28
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
68
-
-
1.35
-
-
0.65
-
-
0.80
-
-
0.20
-
-
1.83
2.01
-
1.93
-
-
1.65
1.80
-
1.75
-
-
0.45
-
-
0.29
-
单位
mA
nA
V
V
nF
µs
V
μs
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备)
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
条件
IGBT
FWD
用导热膏( * 5 )
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.034
-
-
0.060
0.006
-
-
单位
° C / W
注* 5 :这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
2MBI600U4G-120
特性(代表)
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
Tj=25ºC,chip
1400
1200
集电极电流IC [ A]
1000
800
600
400
200
0
0.0
10V
V
GE
=20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压(典型值)。
TJ = 125°C ,芯片
V
GE
=20V
15V
12V
10V
8V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
8V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压(典型值)。
V
GE
=+15V,chip
1400
1200
集电极电流IC [ A]
1000
800
600
400
200
0
0.0
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
Tj=25°C
Tj=125°C
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压(典型值)。
Tj=25ºC,chip
10
8
6
4
Ic=1200A
Ic=600A
Ic=300A
2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
门 - 发射极电压: V
GE
[ V ]
1000
电容:的Cies ,卓越中心, Cres的[ nF的]
电容与集电极 - 发射极电压(典型值)。
V
GE
= 0V , F = 1MHz时, TJ = 25°C
1000
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
800
600
400
200
0
V
CE
动态栅极电荷(典型值)
V
CC
= 600V ,我
C
= 600A , TJ = 25°C
25
栅极 - 发射极电压: V
GE
[V]
20
100
资本投资者入境计划
V
GE
15
10
5
0
3000
10
CRES
卓越中心
1
0
10
20
30
集电极 - 发射极电压: V
CE
[V]
0
500
1000
1500
2000
2500
栅极电荷:的Qg [ NC ]
2
2MBI600U4G-120
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IGBT模块
开关时间与集电极电流(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
上= 6.8Ω ,R
G
关闭= 2Ω , TJ = 125°C
1.8
开关时间:吨, TR ,花花公子, TF [美国]
Swtching时间:吨, TR ,花花公子, TF [美国]
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
200
400
600
800
1000
集电极电流IC [ A]
tf
tr
0.0
0
花花公子
6.0
开关时间与栅极电阻(典型值)。
VCC = 600V , IC = 600A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 125°C
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
tf
4
8
12
16
20
24
28
32
36
tr
花花公子
栅极电阻,R
G
[ Ω ]
开关损耗与集电极电流(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
上= 6.8Ω ,R
G
关闭= 2Ω , TJ = 125°C
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
开关损耗:李炎,的Eoff , ERR [兆焦耳/脉冲]
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
200
400
600
800
1000
集电极电流IC [ A] ,正向电流:I
F
[ A ]
ERR
EOFF
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
开关损耗与栅极电阻(典型值)。
VCC = 600V , IC = 600A ,V
GE
= ± 15V , TJ = 125°C
EOFF
ERR
4
8
12
16
20
24
28
栅极电阻,R
G
[ Ω ]
32
36
反向偏压安全工作区(最大)
±V
GE
= 15V , TJ = 125°C /片
1400
1200
集电极电流IC [ A]
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极 - 发射极电压: V
CE
[ V ]
3
2MBI600U4G-120
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IGBT模块
正向电流与正向电压(典型值)。
芯片
1400
反向恢复电流: IRR [ A]
1200
正向电流:我
F
[ A ]
1000
800
600
400
200
0
0.0
Tj=25ºC
Tj=125ºC
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
反向恢复特性(典型值)。
VCC = 600V ,V
GE
= ± 15V ,R
G
= 6.8Ω , TJ = 125℃
0.9
反向恢复时间: trr的[我们]
IRR
0.8
0.7
0.6
TRR
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
200
400
600
800
正向电流:我
F
[ A ]
0.0
1000
正向电压: V
F
[ V ]
瞬态热阻抗(最大)
热resistanse : Rth的(J -C ) [℃ / W]
1.000
0.100
FWD
IGBT
0.010
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
脉冲宽度:P
W
[秒]
4
2MBI600U4G-120
外形图,毫米
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IGBT模块
等效电路示意
主发射器
发射器感
主要的收藏家
集热器感
集热器感
发射器感
主要的收藏家
主发射器
5
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