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2MBI600U4G-120 IGBT模块( U系列) 1200V / 600A / 2在一个封装 (IGBT MODULE (U series) 1200V / 600A / 2 in one package)
.型号:   2MBI600U4G-120
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描述: IGBT模块( U系列) 1200V / 600A / 2在一个封装
IGBT MODULE (U series) 1200V / 600A / 2 in one package
文件大小 :   611 K    
页数 : 6 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
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100%
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
2MBI600U4G-120
IGBT模块( U系列)
1200V / 600A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械,如焊接机
绝对最大额定值(在Tc = 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
条件
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC: 1分钟。
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压( * 1 )
V
ISO
安装(* 2)
M6
螺杆转矩
M8
端子( * 3 )
M4
注* 1 :所有终端应连接在一起时,隔离测试将完成。
注* 2 :值得推荐值:安装4.25 〜 5.75米( M6 )
注* 3 :值得推荐值:主端子8 〜 10米( M8 )
感测端子1.7 〜 2.5米( M4 )
最大额定值
1200
±20
800
600
1600
1200
600
1200
3670
150
-40 ~ +125
4000
5.75
10
2.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
电气特性(在TJ = 25 ° C除非另有说明)
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE (SAT)
(主终端)
V
CE (SAT)
(片)
资本投资者入境计划
tr
花花公子
tf
V
F
(主终端)
V
F
(片)
TRR
R导线
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启
打开-O FF
正向电压上
反向恢复
引线电阻,终端芯片( * 4)
注* 4 :手臂之间最大的内部终端电阻。
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ,我
C
= 600毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 600A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
R
G
on
= 6.8Ω
V
CC
= 600V
R
G
关闭
= 2Ω
I
C
= 600A
V
GE
= ±15V
TJ = 125℃
V
GE
= 0V
I
F
= 600A
I
F
= 600A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
1200
5.5
6.5
7.5
-
2.08
2.26
-
2.28
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
68
-
-
1.35
-
-
0.65
-
-
0.80
-
-
0.20
-
-
1.83
2.01
-
1.93
-
-
1.65
1.80
-
1.75
-
-
0.45
-
-
0.29
-
单位
mA
nA
V
V
nF
µs
V
μs
热阻特性
热电阻( 1设备)
接触热阻( 1设备)
符号
RTH (J -C )
RTH ( C-F )
条件
IGBT
FWD
用导热膏( * 5 )
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.034
-
-
0.060
0.006
-
-
单位
° C / W
注* 5 :这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
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