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DS3487  DS3896N  M24C02-RDS3G/W  DS3650M  DS3486  DS34C86TM  M24C04-WDS3G/W  M24C02-RDS3G/S  DS3486M  M24C16-WDS3G/W  
2SK3728-01MR N沟道硅功率MOSFET (N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET)
.型号:   2SK3728-01MR
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描述: N沟道硅功率MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
文件大小 :   104 K    
页数 : 4 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
购买 :   
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100%
2SK3728-01MR
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-220F
200305
超级FAP -G系列
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
应用
开关稳压器
UPS (不间断电源)
DC- DC转换器
最大额定值和特性
绝对最大额定值
(TC = 25 ° C除非另有说明)
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复或不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
评级
V
DS
900
V
DSX
*5
900
I
D
±2.2
I
D( PULS ]
±8.8
V
GS
±30
I
AR
*2
2.2
E
AS
*1
127.2
dV
DS
/ DT
*4
40
dv / dt的
*3
5
P
D
Ta=25°C
2.16
Tc=25°C
26
T
ch
+150
-55到+150
T
英镑
V
ISO
*6
2000
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
W
°C
°C
VRMS
等效电路示意
漏极(D )
栅极(G )
源极(S )
* 1 L = 48.2mH , VCC = 90V ,总胆固醇= 25°C看到雪崩能量图* 2总胆固醇<150 ℃,
=
*3 I
F
< -I
D
, -di / DT = 50A / μs的, Vcc的< BV
DSS
,总胆固醇< 150 ° C * 4 VDS< 900V * 5 VGS = -30V * 6 F = 60Hz的, T = 6秒。
=
=
=
=
电气特性(T
c
= 25 ° C除非另有规定编)
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
t
r
td
(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
I
D
= 250µA
V
DS
=V
GS
V
DS
=900V V
GS
=0V
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=720V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 1.1A V
GS
=10V
I
D
=1.1A
V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 600V我
D
=1.1A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=450V
I
D
=2.2A
V
GS
=10V
L = 48.2mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 2.2A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 2.2A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
900
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
8.00
375
55
3.3
26
9
39
42
12.5
5.1
3.3
1.50
单位
V
V
µA
nA
S
pF
1.1
6.15
2.2
250
36
2.2
17
6
26
28
8.3
3.4
2.2
0.90
0.8
2.2
ns
nC
2.2
A
V
µs
µC
Thermalcharacteristics
热阻
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
4.808
58.0
单位
° C / W
° C / W
1
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