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描述:
GS1662  FS98O22  MH6202  CX20125  CL220  SI2300  UPC1262G  AN7216  GS1661  LA1260  
2SK3753-01R N沟道硅功率MOSFET (N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET)
.型号:   2SK3753-01R
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描述: N沟道硅功率MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
文件大小 :   128 K    
页数 : 4 页
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品牌   FUJI [ FUJI ELECTRIC ]
购买 :   
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100%
2SK3753-01R
N沟道硅功率MOSFET
外形图
(mm)
200406
FUJI功率MOSFET
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次击穿
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS (不间断电源)
最大额定值和特性
绝对最大额定值
(TC = 25 ° C除非另有说明)
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
隔离电压
符号
V
DS
I
D
I
D( PULS ]
V
GS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
V
ISO
评级
600
±13
±52
±30
13
216.7
20
5
95
3.13
+150
-55到+150
2
单位
V
A
A
V
A
mJ
备注
等效电路示意
漏极(D )
栅极(G )
注* 1
注* 2
源极(S )
注* 1 :总胆固醇< 150 ° C,重复和不重复
=
KV / μs的V
DS
<600V
=
注* 4
KV / μs的
Tc=25°C
W
Ta=25°C
注* 2 : StartingTch = 25 ° C, IL = 2.36mH ,V
CC
=60V
E
AS
受到最大通道温度
和雪崩电流。
看到了“雪崩能量”图
注* 3 :重复评价:脉冲宽度有限的
°C
最大信道的温度。
°C
看到了“瞬态热阻抗”
kVRMS的
T = 60秒。 F = 60Hz的
图。
*注4 :我
F
< -I
D
, -di / DT = 50A /
µ
S,V
CC
< BV
DSS
, Tch< 150℃
=
=
=
电气特性(T
c
= 25 ° C除非另有规定编)
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
t
r
td
(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250µA
V
GS
=0V
I
D
= 250µA
V
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
V
DS
=600V V
GS
=0V
T
ch
=125°C
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 6A V
GS
=10V
I
D
= 6A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MH
V
CC
=300V
I
D
=6A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=300V
I
D
=12A
V
GS
=10V
L = 2.36mH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 12A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 12A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
250
100
0.65
单位
V
V
µA
µA
nA
S
pF
10
0.50
5.5
11
1600
2400
160
240
7
10.5
18
27
16
24
35
50
8
15
34
51
12.5
19
11.5
17.5
13
1.00
1.50
0.75
6.5
ns
nC
A
V
µs
µC
热特性
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
1.32
40.0
单位
° C / W
° C / W
1
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