GS840F36AT-8.5 [GSI]

256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs; 256K ×18 , 128K ×32 , 128K ×36的4Mb同步突发静态存储器
GS840F36AT-8.5
元器件型号: GS840F36AT-8.5
生产厂家: GSI TECHNOLOGY    GSI TECHNOLOGY
描述和应用:

256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs
256K ×18 , 128K ×32 , 128K ×36的4Mb同步突发静态存储器

存储 内存集成电路 静态存储器 时钟
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型号参数:GS840F36AT-8.5参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.63X.87
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.92
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1