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FDS4470  2SD882L-E-TM3-R  FDS6576  2SD882L-F-TM3-R  FDS4470_06  FDS6574A_08  FDS6299S_07  FDS6298  2SD882L-C-TM3-R  2SD882-C-TM3-R  
GS74117AX-10I 256K ×16的4Mb SRAM的异步 (256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM)
.型号:   GS74117AX-10I
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描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步
256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM
文件大小 :   347 K    
页数 : 12 页
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品牌   GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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100%
GS74117AX
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
允许功耗
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
PD
T
英镑
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
-0.5到V
DD
+0.5
( ≤ 4.6 V最大。 )
0.7
-55到150
单位
V
V
V
W
o
C
注意:
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现永久性设备损坏。功能操作应限于市盈率
ommended工作条件。暴露于高于推荐电压的时间会影响器件长时间
可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为-7 / -8 / -10 / -12
输入高电压
输入低电压
环境温度下,
商用系列
环境温度下,
工业温度范围
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
Ac
T
A
I
3.0
2.0
–0.3
0
–40
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C
注意事项:
1.输入过冲电压应小于V
DD
2 V和不超过20纳秒。
2.输入欠电压应大于-2 V和不超过20纳秒。
冯: 1.02 10/2002
3/12
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